Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/15301
Title: การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย
Other Titles: Development of GaAs semiconductor radiation detectors
Authors: ชุมพล อันตรเสน
สุวิทย์ ปุณณชัยยะ
ศุภโชค ไทยน้อย
Email: Choompol.A@chula.ac.th
Suvit.P@Chula.ac.th
Supachok.t@chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
Subjects: สารกึ่งตัวนำ
แกลเลียมอาร์เซไนด์
Issue Date: 2547
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: หัวรัดรังสีสารกึ่งตัวนำของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ ได้รับการออกแบบ ประดิษฐ์ และทดสอบคุณสมบัติ โครงสร้างที่ออกแบบมี 2 รูปแบบ แบ่งตามชนิดของแว่นผลึกฐานเริ่มต้น แบบแรกเริ่มต้นจากแว่นผลึกแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์กึ่งฉนวน ส่วนแบบหลังเริ่มต้นจากแว่นผลึกแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นบวก ในกรณีของกลุ่มแรกมีทั้งโครงสร้างชนิด ช็อตกี้ แลโครงสร้างชนิดพีไอเอ็น (pin) ส่วนกลุ่มหลังมีโครงสร้างเฉพาะ p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +] โดยเฉพาะชั้นทำงาน n[superscript -]จะถูกปลูกด้วยเทคโนโลยีเอพิแทกซีสถานะของเหลว ซึ่งมีกระบวนการในการปลูกผลึกต่างกัน 4 แบบ ตามจำนวนหลุมสารละลาย GaAs (n[superscript -]) ทั้งนี้เพื่อปรับปรุงคุณภาพผลึกชั้น n[superscript -]ให้ดีขึ้น หลังจากนั้นสมรรถนะของสิ่งประดิษฐ์ได้รับการตรวจสอบโดยการวัดลักษณะสมบัติทางไฟฟ้า และความสามารถในการตอบสนองรังสีพบว่า โครงสร้างช็อตกี้มีแรงดันพลังทลายสูงถึง 200 โวลท์ แต่กระแสมืดอยู่ในช่วง 0.5 mA ในกรณีของโครงสร้าง pin และ p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +]นั้น ทั้งสองแสดงค่าแรงดันพังทลาย 25 โวลท์ และค่ากระแสมืดยู่ในช่วง 10 [mu]A สำหรับการทดสอบความสามารถในการวัดรังสี หัววัดรังสีที่ผลิตทุกโครงสร้างไม่มีผลตอบสนองต่อรังสี สาเหตุเนื่องจากในโครงสร้างช็อตกี้มีกระแสรั่วค่อนข้างสูง ในขณะที่โครงสร้าง p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +] ชั้นผลึก n[superscript -]มีคุณภาพผลึกต่ำ
Other Abstract: Semiconductor radiation detectors of GaAs have been designed, fabricated and tested. Three are two types of designed structures classified following the types of starting substrate. The semi-insulating GaAs (SI-GaAs) is used for the first, meanwhile n[superscript +]-GaAs for the second. In the first group, both schottky and pin structures have been realized whereas the second have only p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +] structure. The n[superscript -]-GaAs active layer of the latter have been grown by the liquid phase epitaxy (LPE) technique. Four LPE processes according to different numbers of GaAs (n[superscript -]) solution are applied to improved the quality of n[superscript -]-GaAs active layer. After that the device performances have been tested by measuring the electrical characteristics and the radiation responsibility. We find that the schottky structures have the breakdown voltage up to 200 Volts, but the dark current around the range of 0.5 mA. In case of pin and p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +] structure, both exhibite the breakdown voltage of 25 volts and the dark current of 10 [mu]A. As for the radiation responsibility, all structures do not function at all. This is due to the high leakage current of schottky structure and the low quality GaAs active layer of p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +]
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/15301
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
chumpol.pdf3.78 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.