Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2265
Title: โครงการพัฒนาเทคโนโลยีวัสดุและชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ : โครงการออปโตอิเล็กทรอนิกส์ : รายงานการวิจัยและพัฒนา
Other Titles: โครงการออปโตอิเล็กทรอนิกส์
ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
Optoelectronics
Authors: ชุมพล อันตรเสน
มนตรี สวัสดิศฤงฆาร
บรรยง โตประเสริฐพงศ์
เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล
ธารา ชลปราณี
Email: Choompol.A@chula.ac.th
Montri.s@chula.ac.th
feebtp@eng.chula.ac.th, Banyong.T@Chula.ac.th
Tara.C@Chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
Subjects: ออฟโตอิเล็กทรอนิกส์
สารกึ่งตัวนำ
ไดโอด
Issue Date: 2531
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: ห้องปฏิบัติการวิจัยสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ได้ทำการริเริ่มวิจัยเทคโนโลยีสารประกอบกึ่งตัวนำ โดยติดตั้งใช้งานเตาเอพิแทกซีสถานะของเหลวบนแนวนอน ได้กล่าวถึงข้อเด่นของหัวต่อต่างชนิดก่อนที่จะทำการทดลองสร้างหัวต่อต่างชนิดของ GaAs/GaAlAs จากนั้นได้ทำการออกแบบและทดลองสร้างผลิตไดโอดเปล่งแสงด้านหน้าและไดโอดเปล่งแสงด้านข้างในช่วงความยาวคลื่น 650-900 nm ได้เป็นผลสำเร็จ และเมื่อทำการวัดลักษณะสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสง เช่น สเปคตรัมแสง ความกว้างของสเปคตรัมแสง กำลังแสง และลักษณะสมบัติกระแส-แรงดัน พบว่า แสงที่เปล่งจากไดโอดเปล่งแสงทั้งสองโครงสร้างเกิดจากการรวมตัวของพาหะระหว่างขอบของแถบพลังงานต้องห้ามของชั้นทำงาน แต่ไดโอดเปล่งแสงด้านข้างจะมีคุณสมบัติที่ดีกว่า เนื่องจากมีแสงที่เปล่งเกิดจากการถูกเร้าและมีกระบวนการดูดกลืนแสงภายในโครงสร้างที่ความยาวคลื่นค่าต่าง ๆมีค่าไม่เท่ากัน สุดท้ายได้ทำการทดลองสร้างและศึกษาทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ของหัวต่อต่างชนิดอิมิตเตอร์เบสของ Ga[subscript0.6]Al[subscript0.4]As(n)/GaAs(p[superscript+] ด้วยคุณสมบัติเฉพาะตัว 2 ประการ กล่าวคือ ค่าคงตัวประจำวัสดุ เช่น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอน และความเป็นไปได้ในการสร้างอิมิตเตอร์ที่มีแถบพลังงานต้องห้ามกว้างกว่าของเบส ทำให้สมรรถนะของสิ่งประดิษฐ์ชนิดนี้สูงกว่าสิ่งประดิษฐ์ชนิดเดียวกันที่ทำจากซิลิกอน
Other Abstract: Compound semiconductor technology was introduced to the Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Faculty of Engineering, Chulalongkorn University. Liquid Phase Epitaxy (LPE) furnace were installed and operated. Advances in heterojunctions are reviewed and those of GaAs-GaAlAs were mainly investigated. Surface emitting and edge light emitting diodes in the 650-900 nm wavelength region have been designed and fabricated. After the characterization and investigation of their spectral output, spectral halfwidth (Full Width at Half Maximum, FWHM). Optical power output and I-V characteristic, we can conclude that the electroluminescence is mainly originated from band to band recombination of their active regions but the latter ones are superior because of the stimulated emission and the selective absorption mechanisms. Finally, Ga[[subscript0.6]Al[subscript0.4]As(n)/GaAs(p[superscript+] heterojunction bipolar transistors have been experimentally realized and studied. Superior performance was observed in this device comparing to the one of silicon due to its material parameters such as electron mobility and possibility to design wide gap emitter
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2265
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Choompol(opt2).pdf4.06 MBAdobe PDFView/Open
Choompol(opt1).pdf5.41 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.