Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196
Title: โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ
Other Titles: Analysis of interface states for semiconductor devices
Authors: เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล
มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร
บรรยง โตประเสริฐพงศ์
ยุทธนา กุลวิทิต
Email: ไม่มีข้อมูล
ไม่มีข้อมูล
ไม่มีข้อมูล
Youthana.K@chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
Subjects: ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์)
แรงดันไฟฟ้า -- การวัด
ความจุไฟฟ้า -- การวัด
ตัวเก็บประจุไฟฟ้า
เครื่องมือวัดประจุ
เครื่องวัดไฟฟ้า
สารกึ่งตัวนำ
ตัวเก็บประจุไฟฟ้า
Issue Date: 2530
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: จุดประสงค์ของโครงการวิจัยนี้ เพื่อศึกษาและวิเคราะห์ความหนาแน่นของสเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งของตัวเก็บประจุ MOS โดยการวัดลักษระสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ MOS ที่สร้างขึ้น การวัดความจุไฟฟ้า-แรงดันนี้จะทำบนระบบเครื่องมือวัดโดยอัตโนมัติที่ทำขึ้นมา ค่าความหนาแน่นของประจุระหว่างผิวและข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องจะถูกคำนวณมาจากเคิร์ฟความจุไฟฟ้าแรงดันที่วัดได้จากการทดลอง ค่าที่คำนวณได้เหล่านี้จะมีประโยชน์โดยเป็นข้อมูลป้อนกลับเข้าไปเพื่อปรับปรุงคุรภาพของตัวเก็บประจุ MOS ให้ดีขึ้น และยังเป็นประโยชน์ต่อการวิจัยและพัฒนาทรานซิสเตอร์ชนิด MOSFET บนสารซิลิกอนอีกด้วย
Other Abstract: The objective of this research is to conduct a study and an analysis of interface state density of semiconductor devices, specifically of MOS capacitors, by means of capacitance-voltage measurements. Measurements will be done on an automated C-V characterization system. Interface state densities and other related information can be extracted from the measured C-V curves. These results are expected to be useful in improving quality of MOS devices as well as for research and development of silicon MOSFETs.
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
kriengsak_ch_2530.pdf5.44 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.