Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8382
Title: การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (E[subscript g] [is approximately equal to] 0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
Authors: สมชัย รัตนธรรมพันธ์
Email: Somchai.R@chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
Subjects: การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
สารกึ่งตัวนำ
โฟโตลูมิเนสเซนซ์
Issue Date: 2550
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Series/Report no.: โครงการวิจัยเลขที่ 81G-EE-2548
Abstract: ในงานวิจัยนี้ได้มีอิทธิพลของเงื่อนไขในการปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs บนแผ่นผลึกฐาน (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล คุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงาคล้ายกระจกเงา สำหรับการวิเคราะห์ความเรียบของผิวหน้า (Surface roughness) ของชั้นผลึกที่ปลูกได้กระทำโดยใช้เครื่อง Atomic Force Microscope (AFM) โดยทำการศึกษาอิทธิพลของค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึกและค่าความดันไอ As[subscript 4] ที่มีผลต่อคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs พบว่าชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs ที่ไม่มีการเจือมีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความหนาแน่นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1.68x10[superscript 16] -4.48x10[superscript 16] cm[superscript -3] และค่าความคล่องพาหะอยู่ในช่วง 700-1,791 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณภาพของชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs ที่ปลูกได้ขึ้นกับเงื่อนไขต่างๆที่ใช้ในการปลูกผลึก ได้แก่ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกขณะทำการปลูกผลึกมีค่าในช่วง 440-480 องศาเซลเซียส และค่าความดันไอ As[subscript 4] มีค่าอยู่ในช่วง 3.3x10[superscript -6]-1.5x10[superscript -5] Torr นอกจากนี้ผลการวัดโฟโตลูมิเนสเซนซ์ของตัวอย่างในการทดลองนี้ไม่สามารถวัดได้ เนื่องมาจากผลของความเครียดที่เกิดจากความแตกต่างของค่าคงตัวผลึก รวมถึงคุณสมบัติของ Auger Recombination ที่เกิดขึ้นในผลึก InGaAs ที่ทำให้คุณสมบัติการเปล่งแสงของผลึก InGaAs นี้มีค่าต่ำมากจนไม่สามารถวัดได้
Other Abstract: In this work, the growth of InGaAs layers on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) was investigated. The surface morphology of InGaAs layers on GaAs substrates was mirrors-like. The surface morphology were characterized by surface roughness using atomic force microscope (AFM). The effect of growth temperature and V/III ratios on the properties of InGaAs epi-layers were studied. The undoped InGaAs layers showed n-type conduction behavior with a background carrier concentration of 1.68x10[superscript 16] -4.48x10[superscript 16] cm[superscript -3] and mobility of 700-1,791 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der PAUW method at room temperature. These results showed a strong dependence of InGaAs epi-layer quality on the growth conditions such as growth temperature and As[subscript 4]/(In+Ga) flux ratios. The growth temperature is in the range of 440-480 degree Celsius and the As[subscript 4] pressure in the range of 3.3x10[superscript -6]-1.5x10[superscript -5] torr. The photoluminescence of samples can not be obtained because the lattice mismatched is induced by the strained in InGaAs epi-layers and Auger recombination.
Description: 
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8382
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Somchai_InG.pdf6.61 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.