Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8713
Title: การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส
Other Titles: The growth of si-droped InP on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy using a GaP decomposition source
Authors: สมชัย รัตนธรรมพันธ์
ชุมพล อันตรเสน
Email: Somchai.R@chula.ac.th
Choompol.A@chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
Subjects: การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
สารกึ่งตัวนำ
Issue Date: 2550
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: โครงการวิจัยนี้ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP ที่การเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ ซึ่งคุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ที่ใช้ในการปลูกผลึกมีผลต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปน Si มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความเข้มข้นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] และมีค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปนขึ้นกับปริมาณของ Si ที่เจือปนในขณะที่ทำการปลูกผลึก
Other Abstract: In this work, the growth of Si-doped InP epi- layers on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using polycrystalline gallium phosphide (GaP) as a phosphorus source was investigated. The high quality Si-doped InP epi-layers on (100) GaAs substrates with specular surface morphology could be obtained. The effect of Si doping concentration on the properties of InP epi-layers were studied. The Si-doped InP epilayers showed n-type conduction behavior with carrier concentration of 10x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] and mobility of 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der PAUW method at room temperature. The results showed a strong dependence of growth quality of Si doping conditions.
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8713
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Somchai_gro.pdf6.75 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.