1. CUIR at Chulalongkorn University
  2. Faculty and Institute
  3. Graduate School - Grad
  4. Grad - Theses
Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/11027
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorขจรยศ อยู่ดี-
dc.contributor.advisorสมพงศ์ ฉัตราภรณ์-
dc.contributor.authorคมกฤษณ์ ปุ่นอุดม-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย-
dc.date.accessioned2009-09-09T02:02:10Z-
dc.date.available2009-09-09T02:02:10Z-
dc.date.issued2540-
dc.identifier.isbn9746389742-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/11027-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2540en
dc.description.abstractฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์แบบโปร่งใสและนำไฟฟ้าถูกเตรียมบนวัสดุรองรับกระจกที่ไม่มีการเผาโดยวิธี อาร์เอฟ แมกนิตรอนสปัตเตอริง ในบรรยากาศของแก๊สอาร์กอนจากเป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดร้อนที่ซื้อมา โดยมีการเจือด้วยอลูมินัมออกไซด์ 2% โดยมวล สมบัติเชิงไฟฟ้าและแสงของฟิล์มเหล่านี้สามารถปรับได้โดยการควบคุมพารามิเตอร์ของการสปัตเตอริง เช่น ความดัน กำลังไฟฟ้า ระยะทางและการจัดวางตัวของวัสดุรองรับที่กระทำกับผิวของเป้าสามารถผลิตฟิล์มบนวัสดุรองรับซึ่งถูกวางตั้งฉากกับผิวของเป้าโดยที่มีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำประมาณ (9.41+_0.88)x10 -4 โอห์ม-ซม. สภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์ 15.9+_6 ซม.2/(โวลท์-วินาที) และสัมประสิทธิ์การส่งผ่านแสงสูงกว่า 90% ในช่วงความยาวคลื่นอยู่ในช่วง 400-1000 นาโนเมตร ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่เจือด้วยอลูมินัมที่มีพื้นที่ใหญ่ได้ถูกเตรียมครั้งแรกจากเป้าที่มีขนาดเล็ก โดยการหมุนวัสดุรองรับกระจกที่มีขนาด 4.85x5.85 ซม2 ฟิล์มที่ได้ถูกแบ่งออกเป็นแปดส่วนแต่ละส่วนถูกวิเคราะห์ทั้งในเชิงไฟฟ้าและแสง การกระจัดกระจายของสภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มที่มีพื้นที่ใหญ่แสดงให้เห็นว่ามีความสม่ำเสมอรอบแกนหมุนของวัสดุรองรับ เป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดเปียกแล้วเผาเจืออลูมินัมออกไซด์ตั้งแต่ 1 ถึง 5% โดยมวล เตรียมจากผงซิงค์ออกไซด์ความบริสุทธิ์ 99.9995% และผงอลูมินัมออกไซด์ความบริสุทธิ์ 99.99% นำมาผสมแล้วอัดขึ้นรูปเป็นแผ่นกลมขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 2 นิ้ว และนำไปเผาที่อุณหภูมิ 1100 องศาเซลเซียสในอากาศเป็นเวลา 12 ชั่วโมง ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่มีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำได้จากการทำ อาร์เอฟ แมกนิตรอนสปัตเตอริงด้วยเป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดเปียกแล้วเผาเจืออลูมินัมออกไซด์ 2% โดยมวลที่มีราคาถูกโดยใช้สภาวะการสปัตเตอริงเดียวกันกับเป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดร้อน สมบัติเชิงไฟฟ้าและแสงของฟิล์มใกล้เคียงกับการสปัตเตอริงจากเป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดร้อน สมบัติเหล่านี้แสดงถึงความเหมาะสมที่จะนำเป้าซิงค์ออกไซด์แบบอัดเปียกแล้วเผาไปใช้เป็นเป้าสปัตเตอริงในการผลิตฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจืออลูมินัมแบบโปร่งใสและนำไฟฟ้าen
dc.description.abstractalternativeConducting transparent ZnO thin films were prepared on unheated glass substrates by rf magnetron sputtering in an argon gas from a commercially available hot pressed ZnO target doped with Al2O3 2 wt%. The electrical as well as optical properties of these films can be adjusted by controlling the sputtering parameters such as pressure, power, target-to-substrate distance and orientation. Films with resistivity as low as (9.41+_0.88)x10 -4 om-cm, hall mobility as high as 15.9+_6 cm2/V-s, and optical transmittance higher than 90% at the wavelength range 400-1000 nm can be produced on the substrate suspended perpendicular to the target surface. A large area ZnO(Al) thin film using small area sputtering target was first obtained by rotating a glass substrate of 4.85x5.85 cm2. The film obtained were divided into 8 pieces and each of them was electrically and optically analyzed. The resistivity distribution for the large area film shows that it has homogeneity around the axis of rotation of the substrate holder. Cold pressed ZnO targets with Al2O3 dopant of 1 to 5 wt% were also prepared from powder mixtures of ZnO with a purity of 99.9995% and Al2O3 with a purity of 99.99%. The desired mixture was molded by hydraulic press into a disc of 2 inches diameter and then sintered at 1100 ํC for 12 hours in air. ZnO films with the minimum resistivity were obtained by rf magnetron sputtering of the much cheaper cold pressed ZnO target doped with Al2O3 of 2 wt% using the same sputtering conditions as those for the hot pressed ZnO target. The electrical and optical properties of films were almost the same as those of sputtering from the hot press ZnO target. This shows the suitability of the cold press ZnO target as being used for the sputtering target producing ZnO(Al) conducting transparent thin films.en
dc.format.extent779660 bytes-
dc.format.extent713560 bytes-
dc.format.extent811219 bytes-
dc.format.extent946392 bytes-
dc.format.extent732628 bytes-
dc.format.extent709769 bytes-
dc.format.extent878892 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.subjectซิงค์ออกไซด์en
dc.subjectฟิล์มบางen
dc.subjectสปัตเตอริง (ฟิสิกส์)en
dc.subjectโกลว์ดิสชาร์จen
dc.titleการเตรียมฟิล์มซิงค์ออกไซด์แบบโปร่งใสและนำไฟฟ้าen
dc.title.alternativePrearation Of zinc oxide transparent conducting filmsen
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิทยาศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineฟิสิกส์es
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.email.advisorKajorn@sc.chula.ac.th-
dc.email.advisorไม่มีข้อมูล-
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Khomkrit_Po_front.pdf869.11 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch1.pdf700.31 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch2.pdf995.6 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch3.pdf837.59 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch4.pdf906.48 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch5.pdf991.54 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch6.pdf936.68 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch7.pdf1.18 MBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_ch8.pdf698.16 kBAdobe PDFView/Open
Khomkrit_Po_back.pdf723.21 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.