Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2264
Title: การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย
Other Titles: Ohmic contacts to GaAs
Authors: ชุมพล อันตรเสน
บรรยง โตประเสริฐพงศ์
Email: Choompol.A@chula.ac.th, Banyong.T@Chula.ac.th
feebtp@eng.chula.ac.th
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
Subjects: แกลเลียมอาร์เซไนด์
สารกึ่งตัวนำ
Issue Date: 2530
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: ผิวสัมผัสโอห์มมิกสารประกอบกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ทั้งชนิด/นิเกิลทอง-เจอร์มาเนียม/แกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ (เอ็น) และทอง-สังกะสี / แกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ (พี) ได้ถูกสร้างขึ้นโดยพัฒนากระบวนการการสร้างที่เหมาะสม ทั้งนี้เนื่องจากผิวสัมผัสโอห์มมิกที่มีคุณภาพดีนั้นขึ้นอยู่กับชนิดและความหนาของโลหะที่เลือกใช้ เงื่อนไขในการฉาบผิวโลหะ วิธีการทางเคมีในการทำความสะอาดผิวแว่นผลึก เวลาและบรรยากาศที่ใช้ในการอบผิว เป็นต้น สำหรับค่าสภาพต้านทานผิวสัมผัสสามารถคำนวณวัดได้ด้วยวิธีของ Transmission Line ผลปรากฏว่าผิวสัมผัสโลหะกับสารประกอบกึ่งตัวนำมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันเป็นเชิงเส้น และมีค่าสภาพต้านทานผิวสัมผัสประมาณ 3x10[ยกกำลัง-4] โอห์ม-ตารางเซนติเมตร นอกจากนี้ยังได้วิเคราะห์ถึงปฏิกิริยาระหว่างโลหะกับสารกึ่งตัวนำอย่างละเอียด โดยที่ทองจะเป็นโลหะหลักที่ทำปฏิกิริยาโดยตรงกับผิวแว่นผลึก เจอร์มาเนียมและสังกะสีเป็นโลหะสารเจือปนชนิดเอ็นและชนิดพีตามลำดับ ส่วนนิเกิลเป็นโลหะควบคุมปฏิกริยา จากภาพรวมของปฏิกิริยาที่เกิดขึ้น จึงได้เสนอรูปแบบของการเกิดชั้นที่มีความเข้มข้นของสารเจือปนสูงใต้ผิวสัมผัส ซึ่งมีส่วนทำให้เกิดกระบวนการ Field Emission เป็นผลให้ผิวสัมผัสโลหะ-สารกึ่งตัวนำมีคุณสมบัติโอห์มมิก สุดท้ายได้กล่าวถึงการประยุกต์ใช้งานกับสิ่งประดิษฐ์ทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้สารประกอบกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ทั้งชนิดเอ็นและพีเป็นวัสดุ เช่น ทรานซิสเตอร์เชนดไบโพลาร์ซึ่งมีหัวต่อเฮตเตอโรเป็นส่วนประกอบ เซมิคอนดัคเตอร์เลเซอร์ และเซลล์แสงอาทิตย์ เป็นต้น
Other Abstract: The ohmic contacts Ni/AiGe/GaAs (n) and AuZn/GaAs (p) have been fabricated and the suitable processing techniques have been developed since the properties of ohmic contact depend considerably on the choice of metallic layers, their thickness, the metal deposition condition, the surface preparation and heat treatment procedure. By Transmission Line Method (TLM), we can measure the ohmic contact resistivity and we obtained the linear I-V characteristics with the resistivity of 3x10[superscript -4] ohme-cm[square]. We also discuss deeply the thermal behavior of various components and show that gold is main metal which acts as a selective getter of gallium around GaAs surface, germanium and zinc are used as n-type and p-type dopants respectively and nickel can control gold-semiconductor interaction. From this point of view, we then propose the model of n[superscript ++] layer formation In such a case the depletion region in the semiconductor become so thin that, even in a high barrier, Field Emission (FE) dominates and the contact is ohmic. Finally, we mentioned some compound semiconductor devices using these contacts as heterojunction bipolar transistors, semiconductor lasers and solar cells.
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2264
Type: Technical Report
Appears in Collections:Eng - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Choompol(GaAs).pdf4.94 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.