วงจรขับนำเกตแบบเรโซแนนซ์ที่ใช้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุแฝง

ปัทมะ ฉลภิญโญ

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/28624

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	ยุทธนา กุลวิทิต	-
dc.contributor.author	ปัทมะ ฉลภิญโญ	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2013-01-23T02:41:49Z	-
dc.date.available	2013-01-23T02:41:49Z	-
dc.date.issued	2554	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/28624	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554	en
dc.description.abstract	วิทยานิพนธ์นี้ศึกษาวงจรขับนำแบบเรโซแนนซ์สำหรับวงจรอินเวอร์เตอร์ เรโซแนนซ์แหล่งกระแสที่ใช้สวิตช์เรโซแนนซ์ภาคแรงดันศูนย์ความถี่สูง พฤติกรรมตัวเก็บประจุแฝงภายในมอสเฟตซึ่งมีค่าเปลี่ยนแปลงตามแรงดันเป็นอุปสรรคสำคัญต่อการขับนำมอสเฟตที่ความถี่สูง ค่าตัวเก็บประจุแฝงภายในมอสเฟตที่เปลี่ยนแปลงตามแรงดันสามารถอธิบายได้โดยใช้สมการในการประมาณค่าตัวเก็บประจุแฝงทั้งด้านเข้าและด้านออกของมอสเฟต การเปลี่ยนแปลงแรงดันออกของวงจรอินเวอร์เป็นสาเหตุของปรากฏการณ์มิลเลอร์ซึ่งส่งผลกระทบต่อวงจรขับนำ ดังนั้นในการออกแบบวงจรขับนำจำเป็นจะต้องพิจารณาผลของปรากฏการณ์มิลเลอร์ดังกล่าวด้วย การใช้สวิตช์เรโซแนนซ์ภาคแรงดันศูนย์ทำให้ผลกระทบจากปรากฏการณ์มิลเลอร์ต่อวงจรขับนำเกิดขึ้นเฉพาะช่วงเวลาที่มอสเฟตหยุดนำกระแส ทำให้มอสเฟตไม่สามารถหยุดนำกระแสได้อย่างรวดเร็วหรืออาจทำให้มอสเฟตเปลี่ยนสถานะเป็นนำกระแสอีกครั้ง การศึกษาวงจรขับนำแบบเรโซแนนซ์อนุกรมจะใช้ตัวเหนี่ยวนำต่ออนุกรมระหว่างวงจรขับนำและขั้วเกตของมอสเฟต ทำให้สามารถประจุและคายประจุตัวเก็บประจุแฝงด้านเข้าของมอสเฟตได้โดยกำลังสูญเสียมีค่าต่ำ การคำนวณค่าสูงสุดของตัวเหนี่ยวนำของวงจรขับนำแบบเรโซแนนซ์ที่สามารถใช้ได้คำนวณจากค่าต่ำสุดและสูงสุดของตัวเก็บประจุแฝงด้านเข้าของมอสเฟต การพัฒนาแบบจำลองของมอสเฟตในโปรแกรม PSpice ทำให้สามารถจำลองการทำงานของวงจรขับนำได้สอดคล้องกับการทดลองยิ่งขึ้น วิทยานิพนธ์นี้สร้างวงจรอินเวอร์เตอร์เรโซแนนซ์แหล่งกระแสความถี่ 10 เมกกะเฮิรตซ์ กำลังออกสูงสุด 40 วัตต์ เพื่อตรวจสอบการคำนวณทางทฤษฎี	en
dc.description.abstractalternative	A gate-drive for a high frequency ZVS current-fed resonant inverter was studied. Driving power MOSFET at a very high frequency is generally impeded by its own voltage-dependent parasitic capacitances. An approximated equation for the input and output voltage-dependent parasitic capacitances is formulated. As the rapidly changing output voltage of the inverter can adversely affects the operation of gate-drive circuit through the Miller feedback, it is also included in the design of gate-drive circuit. For ZVS operation, Miller feedback affects gate-drive circuit only in the turn-off process. It may cause an impeding turn-off or momentarily re-turn-on the MOSFET. A series-type resonant gate-drive is investigated. This thesis uses a resonant inductor connected in series with the gate terminal of the MOSFET which can charge and discharge the input parasitic-capacitance of the MOSFET with low power consumption. The usable gate-circuit inductor is calculated by using minimum and maximum values of the input capacitance of the MOSFET. The PSpice MOSFET model was improved by replacing a constant gate-drain capacitance with a voltage-dependent one. A 40-Watts 10-MHz current-fed resonant inverter was implemented in order to verify the theoretical calculations.	en
dc.format.extent	3303953 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.relation.uri	http://doi.org/10.14457/CU.the.2011.1543	-
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	วงจรไฟฟ้า	en
dc.subject	เรโซเนเตอร์ไฟฟ้า	en
dc.subject	มอสเฟต	en
dc.subject	อินเวอร์เตอร์	en
dc.title	วงจรขับนำเกตแบบเรโซแนนซ์ที่ใช้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุแฝง	en
dc.title.alternative	A resonant gate-drive using parasitic-capacitance and inductance	en
dc.type	Thesis	es
dc.degree.name	วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต	es
dc.degree.level	ปริญญาโท	es
dc.degree.discipline	วิศวกรรมไฟฟ้า	es
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.email.advisor	Youthana.K@chula.ac.th	-
dc.identifier.DOI	10.14457/CU.the.2011.1543	-
Appears in Collections:	Eng - Theses

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
pattama_ch.pdf		3.23 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record