Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31344
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorสมพงศ์ ฉัตราภรณ์-
dc.contributor.advisorขจรยศ อยู่ดี-
dc.contributor.authorธนากร โอสถจันทร์-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย-
dc.date.accessioned2013-05-25T14:40:01Z-
dc.date.available2013-05-25T14:40:01Z-
dc.date.issued2532-
dc.identifier.isbn9745697982-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31344-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2532en
dc.description.abstractในงานวิจัยนี้ได้ปลูกผลึกเดี่ยว ZnSe ขนาด 10xl0x5 mm³ จากสภาวะไอ ในบรรยากาศของแก๊สไฮโดรเจนที่อุณหภูมิ 1100-1250 °C. สารตั้งต้นสังเคราะห์โดยตรงจากธาตุ Zn(99.9999%) และ Se(99.999 ). การปลูกผลึกจากเทคนิคการแกว่งกวัดของอุณหภูมิจะทำให้ได้ผลึกที่สมบูรณ์และมีเกรนขนาดใหญ่ จากการถ่ายภาพเลี้ยงเบนรังสีเอกซ์แบบผง พบว่ามีโครงสร้างผลึกเป็นแบบซิงค์เบลนด์ มีค่าคงที่โครงผลึกเท่ากับ 5.6682±.ooo4 A. การนำไฟฟ้าในผลึก ZnSe ที่ปลึกได้อธิบายได้ด้วยกระแส space-charge-limited จากการวัดการสะท้อนไมโครเวฟ ได้ค่าสภาพต้านทานและค่าคงที่ไดอิเล็กทริกที่ความถี่ไมโครเวฟเท่ากับ3x10⁸Ω –cm และ 8.76 ตามลำดับ ได้ศึกษาการเปลี่ยนสภาพต้านทานของผลึก ZnSe โดยการโดปด้วย Zn, Ga, A1 และ Cu ตามลำดับ ผลึกที่โดปด้วย A1 จะมีสภาพต้านทานต่ำถึง 0.2-0.6 Ω-cm ได้คำนวณหาความเข้มข้นพาหะจากการวัด c-v ของรอยต่อ MS และ MIS จากการวัดการดูดกลืนแสง พบว่าผลึก ZnSe ที่ปลูกได้ มีช่องว่างแถบพลังงานเป็นแบบตรงมีขนาดเพิ่มขึ้นจาก 2.633eV ถึง 2.751eV เมื่ออุณหภูมิลดลงจาก 300k ถึง 11k การเปลี่ยนขนาดช่องว่างแถบพลังงาน และพารามิเตอร์ความชันส่วนหางของเออบาค กับอุณหภูมิ แสดงให้เห็นว่า การดูดกลืนเหล่านี้มีผลมาจากการที่โฟนอนเชิงแสงตามยาวเหนี่ยวนำให้เกิดสนามไฟฟ้าย่อยภายในสารการดูดกลืนที่พลังงานโฟตอนต่ำกว่า Eg สอดคล้องกับการย้ายสถานะในแถบพลังงานเดียวกันและการดูดกลืนจากพาหะอิสระ-
dc.description.abstractalternativeSingle crystals of ZnSe with dimensions of 10xl0x5 mm³ were grown from vapor-phase in hydrogen atmosphere at 1100-1250 °C. The starting material was prepared by direct synthesis from Zn(99.9999%) and Se(99.999 ). The crystals of larger grain and higher quality were obtained by temperature oscillation technique. X-ray powder diffraction method was used to determine the ZnSe crystal structure to be zinc-blend type with lattice constant of 5.6682±.ooo4 A. The mechanism of electrical conduction in as grown crystals could be described as space-charge-limited current process. However resistivity at microwave frequencies obtained from microwave reflection technique was 3x10⁸Ω -cm with a dielectric constant of 8.76. The change in resistivity of ZnSe samples was studied by doping with Zn, Ga, Al and Cu respectively. Low resistivity of 0.2 0.6 Ω -cm was obtained from the Al doped samples. Carrier concentrations were also obtained by C-V measurement of MS and MIS samples. The experimental results of optical absorption measurement show that the as grown ZnSe has direct energy gaps between 2.633 eV and 2.751 eV at temperatures from 300K down to llK, respectively. The temperature dependence of the energy gap and the slope parameter in Urbach tail indicates that the absorption is influenced by the LO phonon-induced electric microfields. Absorption at photon energies lower than Eg is due to intraband transition and free carrier absorption .-
dc.format.extent1506141 bytes-
dc.format.extent543861 bytes-
dc.format.extent3586675 bytes-
dc.format.extent4291006 bytes-
dc.format.extent4727736 bytes-
dc.format.extent1730615 bytes-
dc.format.extent796567 bytes-
dc.format.extent2139412 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.titleการปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์en
dc.title.alternativeCrystal growth and characterization of zinc selenide semicondultoren
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิทยาศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineฟิสิกส์es
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tanakorn_os_front.pdf1.47 MBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch1.pdf531.11 kBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch2.pdf3.5 MBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch3.pdf4.19 MBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch4.pdf4.62 MBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch5.pdf1.69 MBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_ch6.pdf777.9 kBAdobe PDFView/Open
Tanakorn_os_back.pdf2.09 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.