ผลของการอบต่อสมบัติทางแสงของอนุภาคนาโนแคดเมียมซัลไฟด์ฝังตัวในอลูมินาเมทริกซ์เตรียมโดยวิธีโซล-เจล

Abstract

ฟิล์มบางอลูมินาถูกปลูกบนแผ่นแก้วและแผ่นรองรับซิลิกอน โดยวิธีจุ่มเคลือบซึ่งมีสารประกอบเชิงซ้อนของแคดเมียมในสารละลาย นำฟิล์มที่จุ่มเคลือบแล้วไปเผาในอากาศเพื่อให้เกิดแคดเมียมออกไซด์ในอลูมินา นำฟิล์มทีได้รมแก๊สไฮโดรเจนซัลไฟด์ที่อุณหภูมิ 120 องศาเซลเซียส เพื่อเปลี่ยนแคดเมียมออกไซด์เป็นแคดเมียมซัลไฟด์ หลังจากนั้นนำฟิล์มที่ได้ไปเผาที่อุณหภูมิ 300 400 และ 500 องศาเซลเซียส วิเคราะห์ธาตุต่าง ๆ ที่มีอยู่ในเนื้อฟิล์มด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์แบบกระจายพลังงาน วัดการส่งผ่านแสง ลักษณะพื้นผิวของฟิล์มที่ทำการเผาที่อุณหภูมิต่าง ๆ ตรวจดูด้วยเทคนิคแรงระหว่างอะตอม วัดการดูดกลืนแสงเพื่อหาช่องว่างแถบพลังงานของแคดเมียมซัลไฟด์ ผลที่วัดได้มีค่าเฉลี่ย 2.5 อิเล็กตรอนโวลต์ความหนาของฟิล์มบางจากภาคตัดขวางด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ฟิล์มที่จุ่มจำนวน 4 ครั้งได้ความหนา 500 นาโนเมตร ระนาบผลึกแคดเมียมซัลไฟด์หาจากริ้วการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนสเปกตรัมของโฟโตลูมิเนสเซ็นวัดที่ 6 เคลวิน มียอดการเปล่งแสงที่ 2.4 อิเล็กตรอนโวลต์ ฟิล์มที่เผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส แสดงความเข้มของสัญญาณที่สูงและค่า FHWM โดยผลจากการวิเคราะห์ต่าง ๆ สนับสนุนว่าผลึกนาโนแคดเมียมซัลไฟด์ฝังตัวในผิล์มบางอลูมินา