การลดความโก่งงอของคอนแทคดูเอิลอินเตอร์เฟสชิพในโรงงานผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

Abstract

การศึกษาวิจัยนี้ได้ทำการศึกษากระบวนการของผลิตภัณฑ์ชิพคอนแทคดูเอิลอินเตอร์เฟส ซึ่งเป็นชิพประเภทเชื่อมต่อโดยการแตะหรือสัมผัสซึ่งประกอบอยู่ในบัตรประจำตัว จากการวิเคราะห์ข้อมูลในอดีตพบว่ากระบวนการมีจำนวนของเสียประเภทความหนาชิ้นงานเกินขนาดเทียบต่อล้านชิ้นสูงที่สุดที่ค่าเฉลี่ย600 PPM โดยมีสาเหตุมาจากชิ้นงานมีความโก่งงอ พบว่าค่าความโก่งงอมีค่าสูงที่สุดที่กระบวนการห่อหุ้มหน้าชิ้นงาน จึงได้ทำการศึกษาการลดค่าความโก่งงอที่กระบวนการห่อหุ้มหน้าชิ้นงาน เพื่อให้จำนวนของเสียประเภทความหนาชิ้นงานเกินขนาดมีจำนวนลดลงจาก 600 เป็นน้อยกว่า 250 PPM งานวิจัยนี้ได้ประยุกต์ใช้หลักการซิกส์ ซิกม่าในการปรับปรุงกระบวนการ โดยดำเนินการตามหลัก DMAIC ในระยะนิยามปัญหาได้ดำเนินการศึกษากระบวนการ สภาพปัญหาในปัจจุบันและกำหนดขอบเขตการศึกษา ระยะการวัดทำการวัดกระบวนการเพื่อค้นหาสาเหตุของปัญหาจากการระดมความคิดในทีม ระยะวิเคราะห์ได้นำปัจจัยที่คาดว่าจะส่งผลกระทบต่อค่าความโก่งงอมาทำการออกแบบการทดลองเพื่อทดสอบปัจจัยที่ส่งผลกระทบต่อค่าความโก่งงออย่างมีนัยสำคัญ โดยใช้การออกแบบการทดลองแฟคทอเรียล 2kทดลองซ้ำ3 ซ้ำครั้งที่ระดับความเชื่อมั่น 95% พบว่าปัจจัยที่ส่งผลกระทบต่อค่าความโก่งงอย่างมีนัยสำคัญคืออุณหภูมิDam อุณหภูมิFillและอุณหภูมิการอบ ระยะปรับปรุงได้ออกแบบการทดลองแบบบ็อกซ์- เบนเคนซ์ เพื่อหาค่าติดตั้งที่เหมาะสมของปัจจัยที่ส่งผลต่อค่าความโก่งงออย่างมีนัยสำคัญ ผลการทดลองแนะนำค่าติดตั้งที่เหมาะสมคืออุณหภูมิDamที่ 30 องศาเซลเซียส อุณหภูมิFillที่ 65 องศาเซลเซียส และอุณหภูมิการอบที่ 41 องศาเซลเซียส ระยะการควบคุมเพื่อให้กระบวนการปรับปรุงอยู่ในเขตควบคุมจึงได้จัดทำแผนควบคุมและติดตามผลการปรับปรุงกระบวนการโดยใช้แผนภูมิควบคุม จากการติดตามผลการปรับปรุงค่าความโก่งงอที่กระบวนการห่อหุ้มหน้าชิ้นงานพบว่า จำนวนของเสียเทียบต่อล้านชิ้นประเภทความหนาชิ้นงานเกินขนาดลดลงจาก 600 เหลือ184PPM