ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง

สุชาติ สุภาพ

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/62847

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	ขจรยศ อยู่ดี	-
dc.contributor.author	สุชาติ สุภาพ	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย	-
dc.date.accessioned	2019-09-02T07:11:51Z	-
dc.date.available	2019-09-02T07:11:51Z	-
dc.date.issued	2535	-
dc.identifier.isbn	9745819832	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/62847	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2535	-
dc.description.abstract	ในงานวิจัยนี้ได้ทำการออกแบบและสร้างระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริงขึ้นมา แหล่งกำเนิดไฟฟ้ากระแสตรงโวลต์สูงใช้สำหรับสร้างสนามไฟฟ้าขึ้นระหว่างขั้วอิเล็กโทรดมีแรงเคลื่อนไฟฟ้าสูงสุดประมาณ 2000 โวลต์ ขั้วคาโธดที่เป็นเป้าทำด้วยแผ่นบางกลมของโมลิบดีนัม มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางเท่ากับ 10 เซ็นติเมตร และหนาเท่ากับ 0.05 เซ็นติเมตร แผ่นรองรับฟิล์มบางตลอดการทดลองใช้กระจบปิดสไลด์ธรรมดา เพื่อปัองกันการสปัตเตอร์ที่บริเวณขอบและผิวบนของขั้นดาโธดและลดการอาร์คที่อาจจะเกิดขึ้น ได้คลุมบริเวณดังกล่าวด้วยแผ่นสเตนเลสที่ต่อลงดินไว้ อนุภาคพลังงานสูงสำหรับกระบวนการสปัตเตอริงในการทดลองนี้คืออิออนของกาซอาร์กอน ในโกลว์ดิสชาร์จความดันการซอาร์กอนในภาชนะสุญญากาศถูกควบคุมให้คงที่ด้วยการปรับวาล์วรูเข็ม ความดันต่ำสุดในภาชนะสุญญากาศมีค่าประมาณ 5x 10-4 ทอร์ อัตราการเคลือบฟล์มบางโมลิบดีนัมมีค่าประมาณ 0.5 ไมครอนต่อชั่วโมง พบว่าโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางไม่สมบูรณ์ โดยตรวจสอบด้วยวิธีเอ็กซ์เรย์ดิฟแฟรคชั่นและสภาพต้านทานไฟฟ้า[สัญลักษณ์] ต้นแบบของฟิล์มมีค่าประมาณ 155 ไมโครโอห์ม-เมตร โดยวัดด้วยวิธีแวนเดอร์เพาว์	-
dc.description.abstractalternative	In this research, a thin film coating system by sputtering technique was designed and constructed. A high voltage D.C. power supply used for generating the electric field between electrodes has a maximum voltage of about 2,000 v. The target cathode was made of a circular sheet of molybdenum with a diameter of 10 cm. and thickness of 0.05 cm. Conventional cover glasses were used as substrates through out this work. In order to protest sputtering at the outer edge and the upper surface of the cathode and also to inhibit possible are discharge, a grounded stainless steel sheet was provided as a shield. Energetic ions for the sputtering process in this experiment were argon ions in the glow discharge. The argon pressure in the vacuum chamber was kept constant by controlling a needle valve. The lowest pressure in the chamber was about 5×10 -4 torr. The speed of coating of molybdenum this film was about 0.5 µm./hr. It was found that the crystal structure of the4 films was not perfect as examined by x – rays diffraction method and the typical resistivity of the film was about 155 µ Ω - m as measured by van der Pavw method.	-
dc.language.iso	th	-
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	-
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	-
dc.subject	สปัตเตอริง (ฟิสิกส์)	-
dc.subject	ฟิล์มบาง	-
dc.subject	Sputtering (Physics)	-
dc.subject	Thin films	-
dc.subject	Cathode sputtering (Plating process)	-
dc.title	ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง	-
dc.title.alternative	Thin film coating system by sputtering technique	-
dc.type	Thesis	-
dc.degree.name	วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต	-
dc.degree.level	ปริญญาโท	-
dc.degree.discipline	ฟิสิกส์	-
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	-
Appears in Collections:	Grad - Theses

Files in This Item:

File	Size	Format
Suchat_su_front_p.pdf	12.17 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_ch1_p.pdf	4.04 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_ch2_p.pdf	35.98 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_ch3_p.pdf	26.98 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_ch4_p.pdf	27.61 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_ch5_p.pdf	3.95 MB	Adobe PDF	View/Open
Suchat_su_back_p.pdf	2.92 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record