Please use this identifier to cite or link to this item: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8396
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorSukkaneste Tungasmita-
dc.contributor.advisorSakuntam Sanorpim-
dc.contributor.authorDares Kaewket-
dc.contributor.otherChulalongkorn University. Faculty of Science-
dc.date.accessioned2008-11-05T04:28:34Z-
dc.date.available2008-11-05T04:28:34Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8396-
dc.descriptionThesis (M.Sc.)--Chulalongkorn University, 2006en
dc.description.abstractIn this thesis, structural and optical properties of the lattice-matched In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[subscript y]/GaP single quantum wells (SQWs) grown on GaP (001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) have been investigated. The effects of both well-which and compositional variations are established. The results from high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) measurements indicate that the lattice-matched In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[subscript y]/GaP SQWs were realized with excellent crystal quality and fairly flat interfaces. Photoluminescence (PL) spectra show the visible light emission (yellow-red emission) from the SQWs. With decreasing well-width, the PL peak position and the absorption edge of PLE spectra exhibit the blue-shift in energy. This result confirms the quantum confinement effect by the well. On the other hand, with increasing In and N concentrations, the PL peak position and the absorption edge of PLE spectra exhibit the red-shift to lower energy, indicating the lowering of the InGaPN conduction band edge. The conduction band offset ([delta]E[subscript c]) of the InGaAPN/GaP quantum structure is estimated to be about 270-490 meV, which depends on the In and N concentrations in the well. However, the value of conduction band offset is limited by the large number of non-radiative defects caused in the high In and N incorporating samples.en
dc.description.abstractalternativeในวิทยานิพนธ์นี้ สมบัติเชิงโครงสร้างและสมบัติเชิงแสงของบ่อศักย์เดี่ยว In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[subscript y]/GaP แบบแลตทิชแมทช์ที่ปลูกผลึกลงบนซับสเตรต GaP ระนาบ 001 ด้วยวิธีเมทอลออแกนิกเวเปอร์เฟสอีพิแทกซี (MOVPE) ได้ถูกตรวจสอบ ผลกระทบจากการเปลี่ยนแปลงของทั้งค่าความกว้างของบ่อศักย์และองค์ประกอบทางเคมีภายในบ่อศักย์ได้ถูกพิสูจน์ ผลการทดลองที่ได้จากเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์กำลังแยกสูง (HRXRD) บ่งชี้ว่าบ่อศักย์เดี่ยว In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[subscript y]/GaP แบบแลตทิชแมทช์ที่มีคุณภาพของผลึกดีและมีผิวต่อประสาน (interface) ที่เรียบได้ถูกเตรียมให้เกิดขึ้นจริง โฟโตลูมิเนสเซนส์ (PL) สเปกตราแสดงการเปล่งแสงจากบ่อศักย์เดี่ยวในช่วงความยาวคลื่นที่มองเห็นได้ (ช่วงแสงสีเหลืองถึงแสงสีแดง) โดยการทำให้ความกว้างของบ่อศักย์แคบลง ตำแหน่งของยอด PL และจุดเริ่มเกิดการดูดซับพลังงานของโฟโตลูมิเนสเซนส์เอกไซเตชัน (PLE) แสดงการเลื่อนไปทางด้านพลังงานที่สูงขึ้น จากผลนี้ได้ยืนยันถึงอิทธิพลของควอนตัมคอนฟายน์เมนต์ด้วยบ่อศักย์เดี่ยว ในทางตรงข้ามโดยการเพิ่มความเข้มข้นของ In และ N ตำแหน่งของยอด PL และจุดเริ่มเกิดการดูดซับพลังงานของ PLE แสดงการเลื่อนไปทางด้านพลังงานที่ต่ำลง ซึ่งบ่งชี้ถึงการลดลงของขอบแถบการนำของ InGaPN ความแตกต่างของแถบการนำ (conduction band offset, [delta]E[subscript c]) ของโครงสร้างบ่อศักย์ In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[subscript y]/GaP มีค่าประมาณ 270-490 มิลลิอิเล็กตรอนโวลต์ (meV) ขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของ In และ N ในบ่อศักย์ อย่างไรก็ตามค่าความแตกต่างของแถบการนำนี้ถูกจำกัดด้วยความบกพร่องที่เกี่ยวเนื่องกับกระบวนการไม่เปล่งแสง ซึ่งก่อเกิดขึ้นในชิ้นงานที่มีปริมาณความเข้มข้นของ In และ N สูงen
dc.format.extent3094249 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoenes
dc.publisherChulalongkorn Universityen
dc.rightsChulalongkorn Universityen
dc.subjectQuantum wellsen
dc.titleStructural and optical properties analysis of lattice-matched In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[aubscript y]/GaP single quantum well grown by MOVPEen
dc.title.alternativeการวิเคราะห์สมบัติเชิงโครงสร้างและสมบัติเชิงแสงของบ่อศักย์เดี่ยว In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[aubscript y]/GaP แบบแลตทิชแมทช์ปลูกโดยวิธีเอ็มโอวีพีอีen
dc.typeThesises
dc.degree.nameMaster of Sciencees
dc.degree.levelMaster's Degreees
dc.degree.disciplinePhysicses
dc.degree.grantorChulalongkorn Universityen
dc.email.advisorsukkaneste.t@chula.ac.th-
dc.email.advisorSakuntam.S@chula.ac.th-
Appears in Collections:Sci - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Dares.pdf3.02 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.