ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน

ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522-

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1506

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	ทรงพล กาญจนชูชัย	-
dc.contributor.author	ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522-	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2006-08-05T07:58:59Z	-
dc.date.available	2006-08-05T07:58:59Z	-
dc.date.issued	2547	-
dc.identifier.isbn	9741766734	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1506	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547	en
dc.description.abstract	ศึกษาผลของควอนตัมดอตชนิดอินเดียมอาร์เซไนด์ (InAs QDs) ที่มีต่อความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) อินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตถูกฝังเข้าไปในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลลักษณะและขนาดทางกายภาพ ของควอนตัมดอตถูกวัดโดยวิธี TEM และ AFM ในขณะที่การวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอน และความเข้มข้นของอิเล็กตรอนกระทำโดยวิธี van der Puaw ผลการวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้น GaAs ชี้ให้เห็นว่าเมื่อจำนวนชั้นของ InAs QDs เพิ่มขึ้น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงในขณะที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น สาเหตุที่ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงเกิดจากการกระเจิงอิเล็กตรอนโดย InAs QDs ซึ่งเปรียบเสมือนเสี้ยวทรงกลมที่นำไฟฟ้าได้ดี และสาเหตุที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น เกิดจากการเพิ่มขึ้นของปริมาตรรวมจากการฝังชั้น InAs QDs เข้าไปในชั้นของ GaAs และเนื่องจาก InAs นั้นมีอิเล็กตรอนอิสระมากกว่า GaAs ที่อุณหภูมิเดียวกัน	en
dc.description.abstractalternative	To study the effects of InAs quantum dots (InAs QDs) on electron mobility in GaAs. InAs quantum dots are incorporated into GaAs layer by molecular beam epitaxy. Quantum dot geometries are measured by TEM and AFM. Electron mobility and electron concentration are measured by van der Puaw technique. Electron mobility measurements indicate that as the number of QD layer increases, the electron mobility decreases while the electron concentration in the structure increases. Decreasing electron mobility results from increased electron scattering by highly-conducting InAs QDs inclusions. Each QD can be considered as a clipped sphere with high conductivity. Increasing electron concentration results from increased total volume of samples by embedded InAs QDs, and because InAs has greater number of free electrons than GaAs at the same temperature.	en
dc.format.extent	2429210 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	en
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ควอนตัมดอต	en
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en
dc.subject	แกลเลียมอาร์เซไนด์	en
dc.subject	การปลูกผลึกอิมพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en
dc.title	ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน	en
dc.title.alternative	Electron mobility in thin n-GaAs films with embedded quantum dots	en
dc.type	Thesis	en
dc.degree.name	วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต	en
dc.degree.level	ปริญญาโท	en
dc.degree.discipline	วิศวกรรมไฟฟ้า	en
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.email.advisor	Songphol.K@chula.ac.th	-
Appears in Collections:	Eng - Theses

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Teerasak.pdf		1.59 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record