Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/18112
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorสมศักดิ์ ปัญญาแก้ว-
dc.contributor.authorธานี แดงพวงไพบูลย์-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย-
dc.date.accessioned2012-03-17T08:46:33Z-
dc.date.available2012-03-17T08:46:33Z-
dc.date.issued2526-
dc.identifier.isbn9745622753-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/18112-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2526en
dc.description.abstractวิทยานิพนธ์นี้ประกอบด้วย 2 ส่วน ส่วนแรกได้แก่การสร้างเลเซอร์คาร์บอนไดออกไซด์ เลเซอร์นี้สามารถใช้งานได้ทั้งแบบคลื่นต่อเนื่อง และแบบคิว-สวิทซ์ ซึ่งมีกำลังเอาท์พุท 10 วัตต์ และ 1 กิโลวัตต์ ตามลำดับ ส่วนที่สองได้แก่การนำแสงเลเซอร์ทั้งแบบคลื่นต่อเนื่อง และแบบคิว-สวิทซ์ ไปแอนนีลหัวต่อพี-เอ็น ที่สร้างบนแผ่นซิลิกอน ผลการทดลองพบว่า การแอนนีลด้วยแสงเลเซอร์แบบคิว-สวิทซ์ พลังงานขนาด 2.0-8.0 จูล/ตารางเซนติเมตร ไม่สามารถทำให้การกระจายตัวของอะตอมฟอสฟอรัสที่แพร่ซึมเปลี่ยนแปลงไป แต่สำหรับหัวต่อพี-เอ็น ที่ทำขั้วต่อไฟฟ้าด้วยนิเกิล ความต้านทานอนุกรมจะมีค่าน้อยลงเมื่อแอนนีลด้วยแสงเลเซอร?พลังงานประมาณ 3.0 จูล/ตารางเซนติเมตร และความต้านทานอนุกรมนี้จะลดลงจนมีค่าอิ่มตัวเมื่อแสงเลเซอร์มีพลังงานประมาณ 7.0 จูล/ตารางเซนติเมตร-
dc.description.abstractalternativeThis thesis consists of two parts. The first part was the construction of Co2 laser. This laser could be operated both in CW and Q-switch modes with power outputs of 10 watt and 1 kilowatt respectively. The second part was the application of laser with CW and Q-switch modes in the annealing process of silicon P-N junction. The experimental results showed that the annealing of Q-switch laser with energy between 2.0 to 8.0 joule/cm2 could not change the impurity profile of phosphorus, but the P-N junction with nickel contact would have less series resistance at 3.0 joule/ cm2 and this series resistance become saturated at 7.0 joule/ cm2.-
dc.format.extent352279 bytes-
dc.format.extent228954 bytes-
dc.format.extent554952 bytes-
dc.format.extent445329 bytes-
dc.format.extent723986 bytes-
dc.format.extent241193 bytes-
dc.format.extent448777 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.titleการสร้างเลเซอร์คาร์บอนไดออกไซด์ และการประยุกต์ใช้งานในการแอนนีลซิลิกอนen
dc.title.alternativeCO2 laser construction and its application in silicon annealingen
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineวิศวกรรมไฟฟ้าes
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Thanee_Da_front.pdf344.02 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_ch1.pdf223.59 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_ch2.pdf541.95 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_ch3.pdf434.89 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_ch4.pdf707.02 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_ch5.pdf235.54 kBAdobe PDFView/Open
Thanee_Da_Back.pdf438.26 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.