1. CUIR at Chulalongkorn University
  2. Faculty and Institute
  3. Faculty of Science - Sci
  4. Sci - Theses
Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/26399
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorWichit Sritrakool-
dc.contributor.advisorVirulh Sa-yakanit-
dc.contributor.authorUthai Pinmuang-
dc.contributor.otherChulalongkorn University. Faculty of Science-
dc.date.accessioned2012-11-27T07:00:23Z-
dc.date.available2012-11-27T07:00:23Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.isbn9741737009-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/26399-
dc.descriptionThesis (M.Sc.)--Chulalongkorn University, 2003en
dc.description.abstractTo study the behavior of an electron in a heavily doped semiconductors with strong compensation using the Feynman path integral method developed by Sa-yakanit for treating the heavily doped semiconductors. The correlation function of this system is taken from Galpern and Efros. The density of states of the band tail, the kinetic energy of localization as well as the critical exponent are calculated analytically. Numerical results are also presented. Due to the compensation, the critical exponent varies from 1 to 2 instead of from 1/2 to 2 as in the case of heavily doped semiconductors. We point out that this behavior is resemble to the Urbach tail problem where the impurities approach the atomic scale.-
dc.description.abstractalternativeศึกษาพฤติกรรมของอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำชนิดโดปอย่างหนักที่มีการชดเชยอย่างรุนแรง โดยใช้วิธีอินทิเกรตตามวิถีของฟายน์แมนซึ่งพัฒนาโดยสายคณิตสำหรับสารกึ่งตัวนำชนิดโดปอย่างหนัก ฟังก์ชันสหสัมพันธ์ของระบบนี้นำมาจากงานของกัลเปิร์นกับเอฟรอส เราได้คำนวณเชิงวิเคราะห์สำหรับค่าความหนาแน่นสถานะที่หางของแถบพลังงาน และพลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนที่ถูกกัก พร้อมทั้งค่ายกกำลังวิกฤต อีกทั้งยังได้แสดงผลการคำนวณเชิงตัวเลข เนื่องด้วยผลที่ถูกชดเชยอย่างรุนแรงเราได้ค่ายกกำลังวิกฤตจาก 1 ถึง 2 แทนที่จะมีค่าจาก 1/2 ถึง 2 ตามที่เคย ได้ศึกษามาแล้วในกรณีสารกึ่งตัวนำชนิดโดปอย่างหนัก เราชี้ให้เห็นว่าพฤติกรรมของอิเล็กตรอนในระบบนี้มีลักษณะคล้ายคลึงกับปัญหาของหางเออร์บาค เมื่อสารเจือปนมีมากจนกระทั่งระยะห่างมีค่าเข้าสู่มาตราส่วนระดับอะตอม-
dc.format.extent2469559 bytes-
dc.format.extent996678 bytes-
dc.format.extent3737874 bytes-
dc.format.extent3317677 bytes-
dc.format.extent4759260 bytes-
dc.format.extent1992428 bytes-
dc.format.extent1694848 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoenes
dc.publisherChulalongkorn Universityen
dc.rightsChulalongkorn Universityen
dc.titleDensity of states in heavily doped strongly compensated semiconductors with correlated impurity distributionen
dc.title.alternativeความหนาแน่นสถานะในสารกึ่งตัวนำชนิดโดปอย่างหนักซึ่งถูกชดเชยอย่างรุนแรงด้วยสหสัมพันธ์การแจกแจงของสารเจือปนen
dc.typeThesises
dc.degree.nameMaster of Sciencees
dc.degree.levelMaster's Degreees
dc.degree.disciplinePhysicses
dc.degree.grantorChulalongkorn Universityen
Appears in Collections:Sci - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Uthai_pi_front.pdf2.41 MBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_ch1.pdf973.32 kBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_ch2.pdf3.65 MBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_ch3.pdf3.24 MBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_ch4.pdf4.65 MBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_ch5.pdf1.95 MBAdobe PDFView/Open
Uthai_pi_back.pdf1.66 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.