ผลของการเพิ่มปริมาณไนโตรเจนและอินเดียมต่อการสร้างพันธะในฟิล์ม (In,Ga)(As,N) ที่ปลูกผลึกโดยวิธีเอ็มโอวีพีอี

วรรณวีร์ เหมือนประยูร

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/28883

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	สกุลธรรม เสนาะพิมพ์	-
dc.contributor.advisor	สธน วิจารณ์วรรณลักษณ์	-
dc.contributor.author	วรรณวีร์ เหมือนประยูร	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2013-02-17T12:19:02Z	-
dc.date.available	2013-02-17T12:19:02Z	-
dc.date.issued	2553	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/28883	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2553	en
dc.description.abstract	ในงานวิจัยนี้ เราได้วิเคราะห์อิทธิพลของการเติม N และ In ต่อการก่อเกิดพันธะใน ฟิล์มบาง (In,Ga)(As,N) ด้วยเทคนิคการกระเจิงแบบรามาน ชิ้นงานที่ใช้ศึกษาประกอบด้วย ฟิล์ม GaAsN และ InGaAsN ที่มีปริมาณ In และ N ต่างกัน ถูกปลูกบนวัสดุฐานรอง GaAs ผิวระนาบ (001) ด้วยวิธีเมทอลออแกนิกเวเปอร์เฟสเอพิแทกซี การตรวจสอบความเครียดเฉลี่ย ในชั้นฟิล์มด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์กำลังแยกสูง ชี้ให้เห็นว่าฟิล์ม GaAsN ที่ปลูกมี ความเครียดแบบดึงภายใต้อิทธิพลของวัสดุฐานรอง และเมื่อเติม In เข้าไป ส่งผลให้ได้ฟิล์ม InGaAsN มีค่าความเครียดแบบดึงลดลง และในที่สุดฟิล์ม InGaAsN จะอยู่ภายใต้ความเครียด แบบอัด ผลการตรวจสอบความเครียดแบบเฉพาะที่ในชั้นฟิล์มด้วยเทคนิคกระเจิงแบบรามาน ของ GaAsN พบว่าเมื่อปริมาณ N เพิ่มขึ้น ความเข้มสัญญาณรามานสำหรับรูปแบบการสั่นแบบ เฉพาะที่ของพันธะ Ga-N จะมีค่าเพิ่มขึ้น และพบตำแหน่งรามานชิฟท์ที่พลังงานสูงขึ้น โดยจะ ตรวจพบรามานชิฟท์ที่ตำแหน่ง 468 cm [superscript-1] สำหรับปริมาณ N ร้อยละ 0.94 และที่ตำแหน่งรามาน ชิฟท์ 473 cm-1 สำหรับปริมาณ N ร้อยละ 4.94 ข้อมูลดังกล่าวชี้ให้เห็นว่าบริเวณรอบๆ อะตอม N มีความเครียดแบบเฉพาะที่เพิ่มขึ้น นอกจากนี้ยังพบว่าเมื่อปริมาณ N ในชั้นฟิล์มเพิ่มขึ้น อัตราส่วนระหว่างความเข้มสัญญาณรามาน TO [subscript GaAs] และ LO [subscript GaAs] ที่แสดงถึงการบิดเบี้ยวของ โครงสร้างผลึกจะมีค่าเพิ่มขึ้น สำหรับกรณี InGaAsN พบว่าเมื่อเพิ่มปริมาณ In เข้าไปใน GaAsN รามานชิฟท์ที่ตำแหน่ง 473 cm [superscript -1] ([TMIn]/III = 0) ได้ถูกเลื่อนไปยังตำแหน่ง 445 cm [superscript -1] ([TMIn]/III = 0.375) และอัตราส่วนระหว่างความเข้มสัญญาณรามาน TO [subscript GaAs] และ LO [subscript GaAs] มีค่า ลดลง จึงคาดว่าความเครียดบริเวณรอบอะตอม N และการบิดเบี้ยวของโครงสร้างผลึกสามารถ ถูกทำให้ลดลงได้ด้วยการปรับปริมาณ In และ N	en
dc.description.abstractalternative	In this project, we analyzed the effects of incorporating N and In on bond formation in (In,Ga)(As,N) films using Raman scattering. The samples used in this study are GaAsN and InGaAsN films with different In and N contents. They were grown on GaAs (001) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy. Strain, investigated by high resolution x-ray diffraction, in GaAsN films was examined to be tensile strain that increased with N incorporation. On the other hand, the tensile strain in InGaAsN is decreased and changed to compressive strain with an addition of In. Investigational results of local strain in GaAsN films demonstrate that Raman scattering intensity and Raman shift of localized vibrational mode (LVM) of Ga-N bond increased with N incorporation. When N is increased from 0.94 to 4.94%, the LVM mode is shifted from 468 to 473 cm [superscript -1], respectively. This indicates strain at around the N sites, namely “local strain”, which is occurred due to small atomic radii of N atom substituting in a larger As atom site. Besides, the intensity ratio of TO [subscript GaAs]/LO [subscript GaAs], which indicates the lattice distortion, increased as increasing N content. In the case of InGaAsN, addition of In into GaAsN leads to a relaxation of local strain around the N sites. This is evidenced from the Raman shift with incorporation of In from 473 cm [superscript -1] ([TMIn]/III = 0) to 445 cm [superscript -1] ([TMIn]/III = 0.375). In addition, the intensity ratio of TO [subscript GaAs]/LO [subscript GaAs] was reduced with incorporation of In. This implies that the local strain around the N sites and lattice distortion in the InGaAsN films can be reduced by adjusting the compositions of In and N.	en
dc.format.extent	3726569 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.relation.uri	http://doi.org/10.14457/CU.the.2010.1976	-
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ฟิล์มบาง	en
dc.subject	พันธะเคมี	en
dc.title	ผลของการเพิ่มปริมาณไนโตรเจนและอินเดียมต่อการสร้างพันธะในฟิล์ม (In,Ga)(As,N) ที่ปลูกผลึกโดยวิธีเอ็มโอวีพีอี	en
dc.title.alternative	Effects of increasing N and in-contents on the bond formation in (In,Ga)(As,N) films grown by MOVPE	en
dc.type	Thesis	es
dc.degree.name	วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต	es
dc.degree.level	ปริญญาโท	es
dc.degree.discipline	ฟิสิกส์	es
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.email.advisor	Sakuntam.S@chula.ac.th	-
dc.email.advisor	Sathon.V@Chula.ac.th	-
dc.identifier.DOI	10.14457/CU.the.2010.1976	-
Appears in Collections:	Sci - Theses

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
wannawee_mu.pdf		3.64 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record