โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ

เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล; มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร; บรรยง โตประเสริฐพงศ์; ยุทธนา กุลวิทิต

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล	-
dc.contributor.author	มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร	-
dc.contributor.author	บรรยง โตประเสริฐพงศ์	-
dc.contributor.author	ยุทธนา กุลวิทิต	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2013-05-22T08:05:46Z	-
dc.date.available	2013-05-22T08:05:46Z	-
dc.date.issued	2530	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196	-
dc.description.abstract	จุดประสงค์ของโครงการวิจัยนี้ เพื่อศึกษาและวิเคราะห์ความหนาแน่นของสเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งของตัวเก็บประจุ MOS โดยการวัดลักษระสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ MOS ที่สร้างขึ้น การวัดความจุไฟฟ้า-แรงดันนี้จะทำบนระบบเครื่องมือวัดโดยอัตโนมัติที่ทำขึ้นมา ค่าความหนาแน่นของประจุระหว่างผิวและข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องจะถูกคำนวณมาจากเคิร์ฟความจุไฟฟ้าแรงดันที่วัดได้จากการทดลอง ค่าที่คำนวณได้เหล่านี้จะมีประโยชน์โดยเป็นข้อมูลป้อนกลับเข้าไปเพื่อปรับปรุงคุรภาพของตัวเก็บประจุ MOS ให้ดีขึ้น และยังเป็นประโยชน์ต่อการวิจัยและพัฒนาทรานซิสเตอร์ชนิด MOSFET บนสารซิลิกอนอีกด้วย	-
dc.description.abstractalternative	The objective of this research is to conduct a study and an analysis of interface state density of semiconductor devices, specifically of MOS capacitors, by means of capacitance-voltage measurements. Measurements will be done on an automated C-V characterization system. Interface state densities and other related information can be extracted from the measured C-V curves. These results are expected to be useful in improving quality of MOS devices as well as for research and development of silicon MOSFETs.	-
dc.description.sponsorship	ทุนส่งเสริมการวิจัยงบประมาณแผ่นดินปี 2528	en
dc.format.extent	5566928 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์)	en
dc.subject	แรงดันไฟฟ้า -- การวัด	en
dc.subject	ความจุไฟฟ้า -- การวัด	en
dc.subject	ตัวเก็บประจุไฟฟ้า	en
dc.subject	เครื่องมือวัดประจุ	en
dc.subject	เครื่องวัดไฟฟ้า	en
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en
dc.subject	ตัวเก็บประจุไฟฟ้า	en
dc.title	โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ	en
dc.title.alternative	Analysis of interface states for semiconductor devices	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล	-
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล	-
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล	-
dc.email.author	Youthana.K@chula.ac.th	-
Appears in Collections:	Eng - Research Reports

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
kriengsak_ch_2530.pdf		5.44 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record