Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196
| Title: | โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ |
| Other Titles: | Analysis of interface states for semiconductor devices |
| Authors: | เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร บรรยง โตประเสริฐพงศ์ ยุทธนา กุลวิทิต |
| Email: | ไม่มีข้อมูล ไม่มีข้อมูล ไม่มีข้อมูล Youthana.K@chula.ac.th |
| Other author: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ |
| Subjects: | ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์) แรงดันไฟฟ้า -- การวัด ความจุไฟฟ้า -- การวัด ตัวเก็บประจุไฟฟ้า เครื่องมือวัดประจุ เครื่องวัดไฟฟ้า สารกึ่งตัวนำ ตัวเก็บประจุไฟฟ้า |
| Issue Date: | 2530 |
| Publisher: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Abstract: | จุดประสงค์ของโครงการวิจัยนี้ เพื่อศึกษาและวิเคราะห์ความหนาแน่นของสเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งของตัวเก็บประจุ MOS โดยการวัดลักษระสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ MOS ที่สร้างขึ้น การวัดความจุไฟฟ้า-แรงดันนี้จะทำบนระบบเครื่องมือวัดโดยอัตโนมัติที่ทำขึ้นมา ค่าความหนาแน่นของประจุระหว่างผิวและข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องจะถูกคำนวณมาจากเคิร์ฟความจุไฟฟ้าแรงดันที่วัดได้จากการทดลอง ค่าที่คำนวณได้เหล่านี้จะมีประโยชน์โดยเป็นข้อมูลป้อนกลับเข้าไปเพื่อปรับปรุงคุรภาพของตัวเก็บประจุ MOS ให้ดีขึ้น และยังเป็นประโยชน์ต่อการวิจัยและพัฒนาทรานซิสเตอร์ชนิด MOSFET บนสารซิลิกอนอีกด้วย |
| Other Abstract: | The objective of this research is to conduct a study and an analysis of interface state density of semiconductor devices, specifically of MOS capacitors, by means of capacitance-voltage measurements. Measurements will be done on an automated C-V characterization system. Interface state densities and other related information can be extracted from the measured C-V curves. These results are expected to be useful in improving quality of MOS devices as well as for research and development of silicon MOSFETs. |
| URI: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196 |
| Type: | Technical Report |
| Appears in Collections: | Eng - Research Reports |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| kriengsak_ch_2530.pdf | 5.44 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.