Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/6751
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorกิรณันต์ รัตนธรรมพันธ์-
dc.contributor.authorอนันตสิน เตชะกำพุช-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์-
dc.date.accessioned2008-04-30T10:12:10Z-
dc.date.available2008-04-30T10:12:10Z-
dc.date.issued2527-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/6751-
dc.description.abstractในการวิจัยได้เตรียมผลึกสารกึ่งตัวนำแบบชาล์โคไพไรท์โดยใช้เทคนิคของ Vertical Bridgman ในการเตรียมได้ลดอุณหภูมิโดยวิธีการเพิ่มแรงดันไฟฟ้าเข้าไปในวงจร Thermocouple โดยให้อุณหภูมิลดลงในอัตรา 20 องศาเซลเซียสต่อวัน ผลึกที่เตรียมและสามารถนำไปศึกษาปรากฏการณ์ขนส่งได้มี Cu[subscript 0.5]Ag[subscript 0.5]InTe[subscript 2] (S2) Ag(In[subscript 0.8]Ga[subscript 0.2])Te[subscript 2] (S3) และ Ag(In[subscript 0.8]Ga[subscript 0.2])(Se[subscript 0.2]Te[subscript 0.8])[subscript 2] (S4) โดยอาศัยวัสดุส่วนใหญ่ที่ทำได้ในประเทศ ได้สร้างเครื่องมือพร้อมทั้งอุปกรณ์ควบคุมอุณหภูมิซึ่งสามารถทำงานได้ในช่วงอุณหภูมิประมาณ 77 K ถึง 473 K โดยมีความเที่ยงตรงประมาณ +- 0.2 K และใช้เครื่องมือนี้ศึกษาปรากฏการณ์ขนส่งทางไฟฟ้าของผลึกที่เตรียมได้โดยวิธีการของ แวน เดอ พาว พบว่าผลึกทั้งสามมีสภาพต้านทานไฟฟ้า (rho) อยู่ในช่วงของสารกึ่งตัวนำ สำหรับผลึก S2 และ S3 การเปลี่ยนแปลงของ rho ในช่วง 30 C ถึง 80 C น้อยมาก กล่าวคือจาก 0.55 ถึง 0.64 ohm-cm และจาก 66.7 ถึง 41.2 ohm-cm จากการวัดสัมประสิทธิ์ฮอลล์ (R[subscript H]) ของผลึก S3 พบว่าความหนาแน่นของพาหะ (n) เกือบไม่เปลี่ยนแปลงในช่วงอุณหภูมินี้ จึงสรุปว่ากระบวนการนำไฟฟ้าของผลึก S2 และ S3 ถูกควบคุมด้วยพาหะซึ่งมาจากสารแปลงปลอมและความไม่สมบูรณ์ของโครงสร้างผลึก แต่สำหรับผลึก S4 การเปลี่ยนแปลงของ rho ในช่วงอุณหภูมินี้ค่อนข้างมาก คือจาก 4.77 x 10[superscript 5] ถึง 0.475 x 10[superscript 5] ohm-cm ซึ่งคล้ายกับการเปลี่ยนแปลงของ rho ของผลึกกึ่งตัวนำแท้ซึ่งมี E[subscript g] = 1 eV จึงคาดว่าในจำนวนผลึกทั้งสาม S4 มีโครงสร้างที่มีความบกพร่องน้อยที่สุด ซึ่งสมควรจะศึกษาโดยละเอียดต่อไปen
dc.description.abstractalternativeIn this studying, charlcopyrite semiconductor crystals were grown by using vertical Bridgman technique. A variable dc. source was inserted into the thermocouple circuit. By gradual raising the dv-voltage as predesigned, a cooling rate of 20 C per day was obtained. The prepared crystals which can be studied are Cu[subscript 0.5]Ag[subscript 0.5]InTe[subscript 2] (S2), Ag(In[subscript 0.8]Ga[subscript 0.2])Te[subscript 2] (S3) and Ag(In[subscript 0.8]Ga[subscript 0.2])(Se[subscript 0.2]Te[subscript 0.8])[subscript 2] (S4). The equipment with temperature control unit was constructed by using mostly local material. This equipment can work in the temperature range of 77 K to 473 K with +- 0.2 K accuracy. The Van de Pauw technique was used to study the electrical transport phenomena of the crystals. It has been found that the resistivity (rho). of these crystal is in the range of the resistivity of semiconductor. For S2 and S3 the change in rho between 30 C to 80 C is small : from 0.55 to 0.64 ohm-cm and from 66.7 to 41.2 ohm-cm. respectively. The measurement of Hall coefficient (R[subscript H]) of S3 shows that the carrier concentration (n) is almost constant in this interval of temperature. These indicate that the conductivity process is dominated by carriers from impurities and lattice defects. For sample S4 the change in rho in this temperature range is high : from 4.77 x 10[superscript 5] to 0.475 x 10[superscript 5] ohm-cm, which is similar to the change in rho of E[subscript g] = 1 eV intrinsic semiconductor. Thus among these three crystals, S4 has least structural defect and therefore is worth for further investication.en
dc.description.sponsorshipทุนวิจัยกองทุนรัชดาภิเษกสมโภชen
dc.format.extent9804479 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.subjectสารกึ่งตัวนำen
dc.subjectเซลล์แสงอาทิตย์en
dc.titleการศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ของสารกึ่งตัวนำอะลอย และเทอนารีที่มีรูปร่างไม่แน่นอนที่อุณหภูมิต่าง ๆen
dc.typeTechnical Reportes
dc.email.authorKiranant.R@Chula.ac.th, kiranant@hotmail.com-
dc.email.authorไม่มีข้อมูล-
Appears in Collections:Sci - Research Reports

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kiranan(char).pdf9.57 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.