ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย

ชุมพล อันตรเสน; สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ศุภโชค ไทยน้อย

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8202

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน	-
dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์	-
dc.contributor.author	ศุภโชค ไทยน้อย	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2008-10-01T10:02:16Z	-
dc.date.available	2008-10-01T10:02:16Z	-
dc.date.issued	2543	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8202	-
dc.description.abstract	ในงานวิจัยชิ้นนี้ได้เสนอวิธีการผลิตโฟโตไดโอดหัวต่อต่างชนิดของ GaAIAs/GaAs โดยเทคโนโลยีเอพิแทกซีในสถานะของเหลว ทำการสร้างชั้นรับแสงชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานคงที่ที่ 1.674 eV ของ Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และมีค่าคงที่ที่ 1.942 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As และชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาดจาก 1.942 eV ถึง 1.55 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As/Ga[subscript 0.7]Al[subscript 0.3]As/Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As/Ga[subscript 0.9]Al[subscript 0.1]As ชั้นรับแสงที่ทำด้วย Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As จะไม่ดูดกลืนแสงที่มีพลังงานต่ำกว่าช่องว่างแถบพลังงานของมัน ทำให้มีผลตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง ~725 nm ถึง ~875 nm และ ~655 nm ถึง ~875 nm ตามลำดับ ในขณะที่โฟโตไดโอดที่มีช่องว่างแถบพลังงานของชั้นรับแสงแบบลาด แม้จะเกิดการดูดกลืนแสงในชั้นรับแสงจาก ~1.924 eV ถึง ~1.55 eV แต่กลับมีผลตอบสนองทางแสงจาก ~650 nm ถึง ~870 nm คล้ายคลึงกับผลตอบสนองทางแสงของโฟโตไดโอดที่มีชั้นรับแสงเป็น Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As เมื่อเปรียบเทียบกับผลการคำนวณทางทฤษฎีสามารถสรุปได้ว่าโฟโตไดโอดที่ชั้นรับแสงมีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาด มีสนามไฟฟ้าในชั้นรับแสงที่ช่วยพัดพาพาหะที่เกิดในช่วง ~650 nm ถึง ~800 nm ให้ข้ามหัวต่อได้ ดังนั้นจึงเกิดกระแสทางแสงขึ้นในช่วงความยาวคลื่นนี้	en
dc.description.abstractalternative	GaAlAs/GaAs Heterojunction Photodiodes have been fabricated by Liquid Phase Epitaxy Technology. Constant band gap of Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As (1.674 eV) and Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As (1.924 eV) and graded band gap of Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As (1.924 eV)/Ga[subscript 0.7]Al[subscript 0.3]As (1.8 eV)/Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As (1.674 eV)/Ga[subscript 0.9]Al[subscript 0.1]As (1.55 eV) multilayers have been realized as the top layers of photodiodes. The surface layers of G Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As and Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As will not absorb light of energy smaller than their band gap energy thus the spectral response occur from ~725 nm to ~875 nm and from ~655 nm to ~875 nm respectively. In the contrary, although Graded band gap GaAlAs top layer photodiode can absorb the light energy between 1.924 to 1.55 eV., the spectral response can be measured from ~650 nm to ~870 nm, similar to that of G Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As As top layer photodiode. By comparison with the theoretical calculation, we can conclude that the built-in electric field in the lop layer drift the generated carriers through the junction, therefore the photocurrent can be detected in this spectral range.	en
dc.description.sponsorship	ทุนวิจัยกองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	4125003 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ไดโอด	en
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en
dc.subject	โฟโตไดโอด	en
dc.title	ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย	en
dc.title.alternative	Graded band gap gaAlAs/GaAs photodioes	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	Choompol.A@chula.ac.th	-
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th	-
dc.email.author	Supachok.t@chula.ac.th	-
Appears in Collections:	Eng - Research Reports

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
choompol_an.pdf		4.03 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record