การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย

ชุมพล อันตรเสน; สุวิทย์ ปุณณชัยยะ; ศุภโชค ไทยน้อย

dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน
dc.contributor.author	สุวิทย์ ปุณณชัยยะ
dc.contributor.author	ศุภโชค ไทยน้อย
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.date.accessioned	2011-06-17T02:19:40Z
dc.date.available	2011-06-17T02:19:40Z
dc.date.issued	2547
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/15301
dc.description.abstract	หัวรัดรังสีสารกึ่งตัวนำของแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ ได้รับการออกแบบ ประดิษฐ์ และทดสอบคุณสมบัติ โครงสร้างที่ออกแบบมี 2 รูปแบบ แบ่งตามชนิดของแว่นผลึกฐานเริ่มต้น แบบแรกเริ่มต้นจากแว่นผลึกแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์กึ่งฉนวน ส่วนแบบหลังเริ่มต้นจากแว่นผลึกแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นบวก ในกรณีของกลุ่มแรกมีทั้งโครงสร้างชนิด ช็อตกี้ แลโครงสร้างชนิดพีไอเอ็น (pin) ส่วนกลุ่มหลังมีโครงสร้างเฉพาะ p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +] โดยเฉพาะชั้นทำงาน n[superscript -]จะถูกปลูกด้วยเทคโนโลยีเอพิแทกซีสถานะของเหลว ซึ่งมีกระบวนการในการปลูกผลึกต่างกัน 4 แบบ ตามจำนวนหลุมสารละลาย GaAs (n[superscript -]) ทั้งนี้เพื่อปรับปรุงคุณภาพผลึกชั้น n[superscript -]ให้ดีขึ้น หลังจากนั้นสมรรถนะของสิ่งประดิษฐ์ได้รับการตรวจสอบโดยการวัดลักษณะสมบัติทางไฟฟ้า และความสามารถในการตอบสนองรังสีพบว่า โครงสร้างช็อตกี้มีแรงดันพลังทลายสูงถึง 200 โวลท์ แต่กระแสมืดอยู่ในช่วง 0.5 mA ในกรณีของโครงสร้าง pin และ p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +]นั้น ทั้งสองแสดงค่าแรงดันพังทลาย 25 โวลท์ และค่ากระแสมืดยู่ในช่วง 10 [mu]A สำหรับการทดสอบความสามารถในการวัดรังสี หัววัดรังสีที่ผลิตทุกโครงสร้างไม่มีผลตอบสนองต่อรังสี สาเหตุเนื่องจากในโครงสร้างช็อตกี้มีกระแสรั่วค่อนข้างสูง ในขณะที่โครงสร้าง p [superscript +] n[superscript -]n[superscript +] ชั้นผลึก n[superscript -]มีคุณภาพผลึกต่ำ	en
dc.description.abstractalternative	Semiconductor radiation detectors of GaAs have been designed, fabricated and tested. Three are two types of designed structures classified following the types of starting substrate. The semi-insulating GaAs (SI-GaAs) is used for the first, meanwhile n[superscript +]-GaAs for the second. In the first group, both schottky and pin structures have been realized whereas the second have only p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +] structure. The n[superscript -]-GaAs active layer of the latter have been grown by the liquid phase epitaxy (LPE) technique. Four LPE processes according to different numbers of GaAs (n[superscript -]) solution are applied to improved the quality of n[superscript -]-GaAs active layer. After that the device performances have been tested by measuring the electrical characteristics and the radiation responsibility. We find that the schottky structures have the breakdown voltage up to 200 Volts, but the dark current around the range of 0.5 mA. In case of pin and p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +] structure, both exhibite the breakdown voltage of 25 volts and the dark current of 10 [mu]A. As for the radiation responsibility, all structures do not function at all. This is due to the high leakage current of schottky structure and the low quality GaAs active layer of p [superscript +] n[superscript -] n[superscript +]	en
dc.description.sponsorship	กองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	3872670 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en
dc.subject	แกลเลียมอาร์เซไนด์	en
dc.title	การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ : รายงานผลการวิจัย	en
dc.title.alternative	Development of GaAs semiconductor radiation detectors	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	Choompol.A@chula.ac.th
dc.email.author	Suvit.P@Chula.ac.th
dc.email.author	Supachok.t@chula.ac.th