Numerical model for simulating point defect transients

Kwuanchanok Chansawang

dc.contributor.advisor	Sunchai Nilsuwankosit
dc.contributor.author	Kwuanchanok Chansawang
dc.contributor.other	Chulalongkorn University. Faculty of Engineering
dc.date.accessioned	2011-09-29T10:20:35Z
dc.date.available	2011-09-29T10:20:35Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/16038
dc.description	Thesis (D.Eng.)--Chulalongkorn University, 2009	en
dc.description.abstract	A study on the dynamic of point defects in crystal structure was numerically conducted in order to observe their transients. It was found that when a single vacancy defect occurred in an initially perfect FCC-crystal structure, the average atomic volume was suddenly increased and then gradually decreased down to the value close to the initial value. In case of multiple vacancies at the same position with the number of vacancies up to 5, the results showed that the average atomic volumes at the beginning were very similar. However, the system with the higher number of point defects tended to approach the equilibrium faster and had the larger average atomic volume compared with the system with the lower number of point defects.	en
dc.description.abstractalternative	การศึกษาการเปลี่ยนแปลงของความบกพร่องแบบจุดในโครงผลึกโดยใช้แบบจำลองเชิงตัวเลข เพื่อศึกษาการเปลี่ยนแปลงของความบกพร่องต่อเวลา การศึกษาพบว่า เมื่อเกิดความบกพร่องแบบจุดชนิดที่ว่างเดี่ยวขึ้นในโครงผลึกแบบเฟสเซนเตอร์คิวบิคที่ภาวะสมดุล ค่าเฉลี่ยของปริมาตรจำเพาะของอะตอมมีค่าเพิ่มขึ้นอย่างทันทีในช่วงแรก หลังจากนั้นมีค่าลดลงจนกระทั่งเข้าสู่สมดุลโดยมีค่าเฉลี่ยของปริมาตรจำเพาะของอะตอมใกล้เคียงกับค่าตั้งต้น ในกรณีของความบกพร่องแบบจุดในบริเวณเดียวกัน โดยมีจำนวนความบกพร่องเพิ่มขึ้น มีจำนวนสูงสุดถึง 5 จุด ซึ่งทำให้เกิดเป็นที่ว่างขนาดใหญ่ขึ้น พบว่าการเปลี่ยนแปลงค่าเฉลี่ยปริมาณจำเพาะของอะตอมอย่างรวดเร็วในช่วงแรกมีค่าใกล้เคียงกัน แต่ระบบที่มีจำนวนความบกพร่องแบบจุดมากกว่าจะเคลื่อนเข้าสู่สมดุลใหม่เร็วกว่า และมีขนาดปริมาตรจำเพาะของอะตอมใหญ่กว่ากรณีที่มีจำนวนความบกพร่องแบบจุดน้อยกว่า	en
dc.format.extent	1421441 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	en	es
dc.publisher	Chulalongkorn University	en
dc.relation.uri	http://doi.org/10.14457/CU.the.2009.1970
dc.rights	Chulalongkorn University	en
dc.subject	Crystal lattices	en
dc.subject	Crystals -- Defects	en
dc.subject	Computer simulation	en
dc.title	Numerical model for simulating point defect transients	en
dc.title.alternative	แบบจำลองเชิงตัวเลขเพื่อจำลองการเปลี่ยนแปลงของความบกพร่องแบบจุดในโครงผลึก	en
dc.type	Thesis	es
dc.degree.name	Doctor of Engineering	es
dc.degree.level	Doctoral Degree	es
dc.degree.discipline	Nuclear Engineering	es
dc.degree.grantor	Chulalongkorn University	en
dc.email.advisor	Sunchai.N@Chula.ac.th
dc.identifier.DOI	10.14457/CU.the.2009.1970