การสร้างและวิเคราะห์ผลของโฟโตไดโอด : รายงานผลการวิจัย

บรรยง โตประเสริฐพงศ์; มนตรี สวัสดิ์ศฤงฆาร

dc.contributor.author	บรรยง โตประเสริฐพงศ์
dc.contributor.author	มนตรี สวัสดิ์ศฤงฆาร
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
dc.date.accessioned	2006-08-28T07:24:03Z
dc.date.available	2006-08-28T07:24:03Z
dc.date.issued	2526
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2256
dc.description.abstract	โฟโตไดโอดที่มีโครงสร้างต่าง ๆ กันได้ถูกสร้างขึ้นเพื่อศึกษาเปรียบเทียบลักษณะสมบัติกระแส-แรงดัน ความรู้สึกต่อแสง ความไวของการตอบสนองและผลตอบสนองสัมพัทธ์ต่อสเปกตรัม พบว่าโฟโตไดโอดที่ใช้แว่นผลึกที่มีความต้านทานจำเพาะสูง (3000 โอห์ม-เซนติเมตร) ใช้กระบวนการผลิตที่อุณหภูมิต่ำ และใช้ความหนาของชั้นป้องกันการสะท้อนแสงที่เหมาะสมให้ผลการทดลองเป็นที่น่าพอใจ กล่าวคือ มีความรู้สึกต่อแสงเท่ากับ 0.55 A/W rise time และ fall time มีค่า 30 ns และ 20 ns ตามลำดับ ซึ่งใกล้เคียงกับระยะเวลาที่พาหะวิ่งผ่านเขตปลอดพาหะ และผลตอบสนองสัมพัทธ์ต่อสเปกตรัมมีค่ายอดที่ 0.87 ?m หลังจากนั้นได้นำโฟโตไอโอดที่สร้างขึ้นไปเปรียบเทียบกับโฟโตไดโอดเบอร์ TIL 81 และ TIL 100 ซึ่งมีความไวสูงสุดที่มีขายในท้องตลาดพบว่าโฟโตไดโอดที่สร้างขึ้นมีสมรรถนะที่ดีกว่าในแง่ของความรู้สึกต่อแสงและความไวของการตอบสนอง ท้ายที่สุดได้นำโฟโตไดโอดที่สร้างขึ้นไปประยุกต์ใช้ในการรับสัญญาณวิทยุ	en
dc.description.abstractalternative	Different structures of photodiodes have been fabricated to investigate voltage-current characteristics, sensitivity, speed of response and relative spectral response. The experiments show that photodiodes fabricated by using high resistivity wafer (3000?-cm), low temperature processes and appropriate thickness of antireflection coating give satisfactory results. The value of sensitivity is 0.55 A/W, rise time (30 ns) and fall time (20 ns) are comparable to carrier transit time across the depletion region, and peak of relative spectral response is at 0.87 ?m. The fabricated photodiodes are compared with the commercial photodiodes TIL 81 and TIL 100, the results show that our fabricated photodiodes have better performance concerning sensitivity and speed of response. Finally, the fabricated photodiodes are applied to detect the radio signal.	en
dc.description.sponsorship	กองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	32057185 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	en
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ไดโอด	en
dc.title	การสร้างและวิเคราะห์ผลของโฟโตไดโอด : รายงานผลการวิจัย	en
dc.title.alternative	Fabrication and analysis of photodiode	en
dc.type	Technical Report	en
dc.email.author	feebtp@eng.chula.ac.th, Banyong.T@Chula.ac.th
dc.email.author	Montri.s@chula.ac.th