การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัย

สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน

dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
dc.date.accessioned	2006-08-28T09:07:40Z
dc.date.available	2006-08-28T09:07:40Z
dc.date.issued	2544
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2266
dc.description.abstract	ในโครงการวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาเงื่อนไขที่ใช้ในการสร้างโครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs โดยวิธี MBE และตรวจสอบลักษณะสมบัติทางแสงด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ โดยตัวแปรที่ได้ศึกษาในการนี้ได้แก่ ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึก ค่าความหนาของชั้นเวลล์ InGaAs ในโครงสร้าง ค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs และค่าอัตราส่วน BEP ของ V/III หรือ As[subscript4]/(In+Ga) จากทดลองที่ได้นั้น ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกขณะปลูกผลึกที่เหมาะสมอยู่ในช่วง 480-520 องศาเซลเซียส สำหรับค่าอุณหภูมิที่สูงกว่า 520 องศาเซลเซียส ค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs มีค่าลดลง เนื่องจากผลการแยกตัวของ In ในสภาวะที่แผ่นผลึกฐานมีอุณหภูมิสูง และค่าอัตราส่วน BEP ของ V/III หรือ As[subscript4]/(In+Ga) ที่เหมาะสมมีค่าประมาณ 17 เท่า สำหรับค่าช่วงความยาวคลื่นของสเปกตรีมโฟโตลูมิเนสเซนซ์ที่ได้จากโครงสร้างที่สร้างขึ้นอยู่ในช่วง 870-940 nm ที่อุณหภูมิ10 K และอยู่ในช่วง 920-1000 nm ที่อุณหภูมิห้องและค่าความยาวคลื่นที่มียอดโฟโตลูมิเนสเซนซ์สูงสุด จะเคลื่อนไปด้านค่าความยาวคลื่นยาวเมื่อค่าความหนาของชั้นเวลล์มีค่าเพิ่มขึ้นและ/หรือค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs	en
dc.description.abstractalternative	An experimental study on molecular beam epitaxy growth of strain quantum well InGaAs-GaAs have been performed. The investigations were conducted by photoluminescence technique to study the effects, i.e. growth temperature, BEP ratio of V/III or AS[subscript]/(In+Ga), Indium content, and well thickness on the luminescence characteristics of strain well InGaAs-GaAs. The results gathered from the photoluminescence characteristics of strain quantum well InGaAs-GaAs. The results gathered from the photoluminescence data reveal the optimum growth temperature in the range of 480-520 degree Celsius. The segregation effect of In atom at high substrate temperature over 520 degree Celsius decrease the In content in the well layers. The optimum BEP ratio of V/III or As[subscript4](In+Ga) is 17. The wavelength of the luminescence is in the range of 870-950 nm at 10 K and 920-1000 nm at room temperature and, in addition, the photoluminescence peak wavelength shifts to longer while increasing the well thickness and/or Incontent in the InGaAs well layer.	en
dc.description.sponsorship	กองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	7230953 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	en
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ควอนตัมเวลล์	en
dc.subject	โฟโตลูมิเนสเซนซ์	en
dc.subject	ผลึก--การปลูก	en
dc.title	การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัย	en
dc.title.alternative	Photoluminescence investigation of strain layer single quantum well	en
dc.type	Technical Report	en
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th
dc.email.author	Choompol.A@chula.ac.th