โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ

เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล; มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร; บรรยง โตประเสริฐพงศ์; ยุทธนา กุลวิทิต

dc.contributor.author	เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล
dc.contributor.author	มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร
dc.contributor.author	บรรยง โตประเสริฐพงศ์
dc.contributor.author	ยุทธนา กุลวิทิต
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.date.accessioned	2013-05-22T08:05:46Z
dc.date.available	2013-05-22T08:05:46Z
dc.date.issued	2530
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196
dc.description.abstract	จุดประสงค์ของโครงการวิจัยนี้ เพื่อศึกษาและวิเคราะห์ความหนาแน่นของสเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งของตัวเก็บประจุ MOS โดยการวัดลักษระสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ MOS ที่สร้างขึ้น การวัดความจุไฟฟ้า-แรงดันนี้จะทำบนระบบเครื่องมือวัดโดยอัตโนมัติที่ทำขึ้นมา ค่าความหนาแน่นของประจุระหว่างผิวและข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องจะถูกคำนวณมาจากเคิร์ฟความจุไฟฟ้าแรงดันที่วัดได้จากการทดลอง ค่าที่คำนวณได้เหล่านี้จะมีประโยชน์โดยเป็นข้อมูลป้อนกลับเข้าไปเพื่อปรับปรุงคุรภาพของตัวเก็บประจุ MOS ให้ดีขึ้น และยังเป็นประโยชน์ต่อการวิจัยและพัฒนาทรานซิสเตอร์ชนิด MOSFET บนสารซิลิกอนอีกด้วย
dc.description.abstractalternative	The objective of this research is to conduct a study and an analysis of interface state density of semiconductor devices, specifically of MOS capacitors, by means of capacitance-voltage measurements. Measurements will be done on an automated C-V characterization system. Interface state densities and other related information can be extracted from the measured C-V curves. These results are expected to be useful in improving quality of MOS devices as well as for research and development of silicon MOSFETs.
dc.description.sponsorship	ทุนส่งเสริมการวิจัยงบประมาณแผ่นดินปี 2528	en
dc.format.extent	5566928 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์)	en
dc.subject	แรงดันไฟฟ้า -- การวัด	en
dc.subject	ความจุไฟฟ้า -- การวัด	en
dc.subject	ตัวเก็บประจุไฟฟ้า	en
dc.subject	เครื่องมือวัดประจุ	en
dc.subject	เครื่องวัดไฟฟ้า	en
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en
dc.subject	ตัวเก็บประจุไฟฟ้า	en
dc.title	โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ	en
dc.title.alternative	Analysis of interface states for semiconductor devices	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล
dc.email.author	ไม่มีข้อมูล
dc.email.author	Youthana.K@chula.ac.th