Crystal structure of CuInSe2 under high pressure

Varalak Saengsuwan

dc.contributor.advisor	Thiti Bovornratanaraks
dc.contributor.author	Varalak Saengsuwan
dc.date.accessioned	2007-04-10T11:32:14Z
dc.date.available	2007-04-10T11:32:14Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.isbn	9741765894
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/3502
dc.description	Thesis (M.Sc.)--Chulalongkorn University, 2004	en
dc.description.abstract	The CulnSe2 has recently emerged as a very promising material for photovoltaic solar-energy application, due partially to the fact that it is probably the strongest absorbing semiconductor under sunlight. Furthermore, CuInSe2 is also widely used in optical laboratories. Since the chemical and physical properties of materials are governed by the temperature and pressure. The crystal structure of this material is studied under various thermodynamic conditions. Because of the advancement in technology, the structure studies of this material under high pressure are interested for various fields of work. In 1996, the crystal structure of CuInSe2 and their structural phase transitions under high pressure were investigated by T.Tinoco et al. They studied the crystal structure of CuInSe2 under the maximum pressure of 290 kbar by using energy dispersive x-rays diffraction with synchrotron radiation and Merill-Bassett diamond anvil cell. In this research, the Angle Dispersive X-rays Powder Diffraction is used with Image-Plate method and x-rays with =0.4654 A on station 9.1 at Synchrotron Radiation Source, Daresbury, UK for high quality data. DXR-6 Diamond anvil cell is used for generating pressure up to 532 kbar which the structural studies of this material at this pressure have never been done before. Ruby fluorescence technique is used for pressure calibration	en
dc.description.abstractalternative	คอปเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ (CuUnSe2) คือสารกึ่งตัวนำ (Semiconductor) ซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวดูตกลืนพลังงานโฟตอนภายในเซลล์สุริยะ และยังสามารถนำไปใช้ในการทดลองเชิงแสงได้อย่างมีประสิทธิภาพ ทำให้ในปัจจุบันมีการศึกษาสมบัติของคอบเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ในสภาวะแวดล้อมต่างๆ มากขึ้น ซึ่งสมบัติของสารต่างๆ ทั้งทางเคมี และทางฟิสิกส์จะเปลี่ยนแปลงไปตามโครงสร้างผลึกที่ขึ้นกับอุณหภูมิ และความดันของสิ่งแวดล้อม โดยในวิทยานิพนธ์นี้ได้ศึกษาโครงสร้างผลึกของคอปเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ในสภาวะที่ความดันของสิ่งแวดล้อมสูงขึ้น ที่ผ่านมาในปี ค.ศ. 1996 T.Tinoco และทีมงาน ได้ศึกษาโครงสร้างของคอปเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ในระดับความดันสูงสุด 290 กิโลบาร์ โดยใช้การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ชนิดกระจายพลังงาน (Energy Dispersive X-rays Diffraction) แบบผง ซึ่งใช้รังสีเอ็กซ์ที่มาจากแหล่งกำเนิดรังสีซินโครตรอน (Synchrotron Radiation Source) ในการหาโครงสร้าง และใช้ DAC แบบ Merill-Bassett Cell ในการเพิ่มความดัน แต่ในงานวิจัยนี้เพื่อให้ได้ข้อมูลที่มีความละเอียดมากยิ่งขึ้น จึงได้เก็บข้อมูลทางการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ชนิดกระจายมุม (Angle Dispersive X-rays Diffraction) แบบผงด้วยเครื่องมือ Image-Plate และใช้รังสีเอ็กซ์ความยาวคลื่น 0.4654 A ที่มาจากแหล่งกำเนิดรังสีซินโครตรอนในการหาโครงสร้างผลึกของคอบเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ ส่วนการเพิ่มความดันให้กับสารนั้นเราได้ใช้ DAC แบบ DXR-6 Diamond anvil cell โดยความดันสูงสุดที่ทดลองจะอยู่ที่ประมาณ 532 กิโลบาร์ ซึ่งเป็นระดับความดันที่ยังไม่เคยมีการศึกษามาก่อน	en
dc.format.extent	3264538 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Chulalongkorn University	en
dc.rights	Chulalongkorn University	en
dc.subject	Copper indium selenide	en
dc.subject	High pressure (Science)	en
dc.subject	Semiconductors	en
dc.subject	X-ray crytallography--Technique	en
dc.subject	Rietveld method	en
dc.title	Crystal structure of CuInSe2 under high pressure	en
dc.title.alternative	โครงสร้างผลึกของคอปเปอร์อินเดียมไดซิลินายด์ภายใต้ความดันสูง	en
dc.type	Thesis	en
dc.degree.name	Master of Science	en
dc.degree.level	Master's Degree	en
dc.degree.discipline	Physics	en
dc.degree.grantor	Chulalongkorn University	en