การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

สมชัย รัตนธรรมพันธ์

dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.date.accessioned	2016-07-08T09:28:50Z
dc.date.available	2016-07-08T09:28:50Z
dc.date.issued	2554
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187
dc.description.sponsorship	ทุนงบประมาณแผ่นดิน ปี 2552	en_US
dc.language.iso	th	en_US
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en_US
dc.relation.ispartofseries	โครงการวิจัยเลขที่ 108G-EE-2552
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en_US
dc.subject	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en_US
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en_US
dc.title	การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en_US
dc.title.alternative	Fabrication of In₀.₁₅Ga₀.₈₅As nanoholes on GaAs substrates formed by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy	en_US
dc.type	Technical Report	en_US
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th
dc.discipline.code	0308	en_US