Abstract:
โครงงานนี้เป็นการวัดสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคของสารไอรอนไดซิลิไซด์ที่เจือด้วย ดีบุกในปริมาณร้อยละ 0.0 0.1 0.2 0.3 และ 0.4 โดยอะตอมที่อุณหภูมิห้อง ซึ่งเตรียมสารตัวอย่างโดยการ ผสมเหล็กและซิลิกอนในอัตราส่วนร้อยละ 1:2 โดยอะตอม และนำไปหลอมเหลวในบรรยากาศอาร์กอนที่ อุณหภูมิ 1,550 ℃ และตัดสารตัวอย่างขนาด 10×10×2 มิลลิเมตร³ ทั้งหมด 5 ชิ้น การวัดสภาพต้านทาน ไฟฟ้าใช้วิธีแบบแวน เดอ พาว(van der Pauw) และวัดสัมประสิทธิ์ซีเบคโดยใช้เทคนิคหัววัดร้อน (hot probe technique) พบว่าเมื่อเจือดีบุกลงในสารตัวอย่างทำให้แนวโน้มของทั้งสองค่าลดลง โดยค่าสภาพต้านทาน ไฟฟ้าลดลงจาก 5.38±0.02 μΩ.m สำหรับไม่เจือดีบุก เป็น 2.438±0.009 μΩ.m สำหรับเจือดีบุกในปริมาณ ร้อยละ 0.4 โดยอะตอมตามลำดับ ทั้งนี้เนื่องจากดีบุกทำให้ชิ้นงานมีความเป็นโลหะมากขึ้น ส่งผลทำให้ค่า สภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคลดลง ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคมีค่าไม่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ สำหรับทุกปริมาณของดีบุกที่เจือ ค่า Power factor ของสารตัวอย่างที่เจือดีบุกร้อยละ 0.3 ค่า มากที่สุด เท่ากับ 1.04±0.08 μV²/Ω.K²
