DSpace Repository

การพัฒนาวัสดุนาโนของสารกึ่งตัวนำในเซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีทางแสงสำหรับ การตรวจวัดไอออนทองแดง

Show simple item record

dc.contributor.advisor นำพล อินสิน
dc.contributor.author ชนวีร์ มณิปันตี
dc.contributor.other จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned 2020-06-30T15:19:54Z
dc.date.available 2020-06-30T15:19:54Z
dc.date.issued 2558
dc.identifier.uri http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/66717
dc.description โครงงานเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาตามหลักสูตรปริญญาวิทยาศาสตรบัณฑิต ภาควิชาเคมี คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ปีการศึกษา 2558 en_US
dc.description.abstract เซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีทางแสงเป็นหนึ่งในเซ็นเซอร์ที่มีประสิทธิภาพสำหรับใช้ในการตรวจวัดปริมาณไอออนทองแดง (Cu(II)) อย่างไรก็ตาม ชนิดวัสดุนาโนของสารกึ่งตัวนำในเซ็นเซอร์นี้ที่ใช้ในงานวิจัยก่อนหน้า ยังคงใช้เพียงแค่ควอนตัมดอทชนิดแคดเมียมซัลไฟด์และแคดเมียมเทลลูไลด์ และจากควอนตัมดอทชนิดแคดเมียมซิลีไนด์เป็นควอนตัมดอทที่มีความเสถียรและประสิทธิภาพการเปล่งแสงสูงกว่าควอนตัมดอทชนิดแคดเมียมซัลไฟด์และแคดเมียมเทลลูไลด์ที่ใช้ในงานวิจัยก่อนหน้า ดังนั้น ผู้วิจัยจึงสนใจที่จะพัฒนาประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีทางแสงสำหรับการตรวจวัดไอออนทองแดง โดยใช้ชนิดวัสดุนาโนของสารกึ่งตัวนำเป็นควอนตัมดอทชนิดแคดเมียมซิลีไนด์ ทั้งนี้ยังศึกษาปัจจัยที่มีผลต่อประสิทธิภาพการทำงานของเซ็นเซอร์ อันได้แก่ ศักย์ไฟฟ้าที่ให้กับขั้วไฟฟ้าใช้งาน ความเข้มและสีแสงที่ให้กับขั้วไฟฟ้าใช้งาน ชนิดและความเข้มข้นของควอนตัมดอท โดยพบว่าค่าศักย์ไฟฟ้าที่เหมาะสมที่จะให้กับขั้วไฟฟ้าใช้งานมีค่าเท่ากับ -0.75 โวลต์ และเมื่อใช้ขั้วไฟฟ้าใช้งานที่เตรียมจากการนำแกนกลางควอนตัมดอทสีเหลืองที่สังเคราะห์โดยไม่ใช้ trioctylphosphine ที่มีความเข้มข้น 10 เท่ามาตรึงบนแผ่นกระจกอินเดียมทินออกไซด์ด้วยวิธีการจุ่ม จะให้ค่า relative photocurrent สูงสุด เมื่อกระตุ้นด้วยแสงสีม่วง ที่มีความเข้มแสง 5947 lux และสำหรับการศึกษาประสิทธิภาพในการตรวจวัดไอออนทองแดง (Cu(II)) ด้วยเซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีทางแสงที่เตรียมขึ้นมาในงานวิจัยนี้ พบว่ามีช่วงการตรวจวัดเป็นเส้นตรงในช่วง 1 × 10⁻⁷ ถึง 4 × 10⁻⁶ โมลาร์ และมีค่าขีดจำกัดของการตรวจวัดเท่ากับ 1.05 × 10⁻⁹ โมลาร์ en_US
dc.description.abstractalternative Photoelectrochemical sensor (PEC sensor) is an efficient sensor for detection of copper (II) ion. However, only cadmium sulfide and cadmium telluride quantum dots were used as semiconductor nanomaterials in previous studies. Since cadmium selenide quantum dots have more stability and quantum yield than the quantum dots in previous studies, in this work cadmium selenide quantum dots were used in order to improve the performance of PEC sensor for copper (II) ion detection. In addition, factors including potential applied to working electrode, intensity and color of excitation light, and types and concentration of quantum dots were studied to optimize performance of PEC sensor for copper (II) ion detection. The sensor has maximum relative photocurrent intensity when potential of -0.75 volt was applied to working electrode, yellow core quantum dots synthesized without trioctylphosphine at 10-fold concentration to deposit on indium tin oxide glass slide by dip method were used, and violet light at intensity 5947 lux was illuminated onto working electrode. For studying performance of this sensor for copper (II) ion detection, the measured photocurrent depends on copper (II) ion concentration with a linear range from 0.1 to 4.0 μM with a detection limit of 1.05 nM. en_US
dc.language.iso th en_US
dc.publisher จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย en_US
dc.rights จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย en_US
dc.title การพัฒนาวัสดุนาโนของสารกึ่งตัวนำในเซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีทางแสงสำหรับ การตรวจวัดไอออนทองแดง en_US
dc.title.alternative Development of Semiconductor Nanomaterials in Photoelectrochemical Sensor for Detection of Copper(II) Ion en_US
dc.type Senior Project en_US
dc.email.advisor Numpon.I@Chula.ac.th


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record