Abstract:
โครงงานนี้ศึกษาผลของการอบอ่อนที่มีต่อสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคของสารไอรอนไดซิลิไซด์ที่เจือดีบุก 0.3 เปอร์เซ็นต์อะตอมและไม่เจือ โดยหลอมด้วยอุณหภูมิ 1550 องศาเซลเซียสในระบบที่มีแก๊สอาร์กอน โดยทำการเปรียบเทียบค่าทั้งสองของชิ้นงานก่อนอบและหลังอบ โดยจะทำการอบที่อุณหภูมิ 750 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง และ 2 ชั่วโมง ที่อุณหภูมิ 860 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง และ 2 ชั่วโมง โดยมีการหาสภาพต้านทานไฟฟ้าซึ่งวัดได้จากอุปกรณ์หัววัด 4 จุด โดยใช้หลักของ แวน เดอ พาว คำนวณหาสภาพต้านทานไฟฟ้า หาค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคโดยเทคนิคหัววัดร้อน ก่อนอบอ่อนค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคของสารไอรอนไดซิลิไซด์ที่ไม่เจือด้วยดีบุกมีค่ามากกว่าแบบที่เจือดีบุก โดยค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าเท่ากับ 4.89 μΩ.m และ 2.24 μΩ.m ตามลำดับและค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคกับ 1.15 μV/K และ 0.89 μV/K ตามลำดับ ภายหลังการอบอ่อนพบว่าทุกชิ้นงานมีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงขึ้นโดยชิ้นงานที่เจือจะมีสภาพต้านทานไฟฟ้ามากกว่าชิ้นงานที่เจือซึ่งแสดงให้เห็นถึงผลของดีบุกที่เร่งปฏิกิริยายูเทคทอยด์และให้เฟสบีตาที่มากขึ้น สภาพต้านทานไฟฟ้าเพิ่มตามอุณหภูมิและเวลาสำหรับชิ้นงานที่เจือแต่ไม่สามารถสรุปเช่นเดียวกันได้กับกรณีไม่เจือเพราะมีชิ้นงานไม่ครบถ้วน ภายหลังการอบอ่อนค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคของทุกชิ้นงานมีค่าสูงขึ้นเช่นกันโดยชิ้นงานที่เจือดีบุกจะมีสัมประสิทธิ์ซีเบคที่น้อยกว่าชิ้นที่ไม่เจืออันเป็นผลมาจากความเป็นโลหะของดีบุก การอบที่ 860 องศาเซลเซียสจะเริ่มพบค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคที่เป็นลบที่บางตำแหน่งของการวัด ซึ่งทำให้ค่าเฉลี่ยสัมประสิทธิ์ซีเบคของการอบที่ 860 องศาเซลเซียสน้อยกว่าการอบที่ 750 องศาเซลเซียส ชิ้นงานที่ให้ค่า ZT สูงสุดคือชิ้นงานที่ไม่เจือดีบุก โดยอบที่ 750 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 ชั่วโมง
