การศึกษาผลของการจัดเรียงอะตอมของสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อน (Heterostructure) โดยใช้แบบจำลองทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น

ประภัสสร พันธ์ภักดี

dc.contributor.advisor	ธิติบวร รัตนารักษ์
dc.contributor.advisor	อรรณพ เอกธาราวงศ์
dc.contributor.author	ประภัสสร พันธ์ภักดี
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned	2022-07-04T05:55:35Z
dc.date.available	2022-07-04T05:55:35Z
dc.date.issued	2563
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/79153
dc.description	โครงงานเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาตามหลักสูตรปริญญาวิทยาศาสตรบัณฑิต ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ปีการศึกษา 2563	en_US
dc.description.abstract	สารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อนเป็นสารประกอบที่ได้ความสนใจในปัจจุบัน เนื่องจากเป็นสารกึ่งตัวนำที่นิยมนำมาเป็นส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาทำเป็นโครงสร้างซับซ้อนเป็นวิธีการหนึ่งในการพัฒนาและปรับปรุงคุณสมบัติของวัสดุให้เหมาะสมกับการใช้งานในอุตสาหกรรมต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องในงานวิจัยนี้จะศึกษาผลของการนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP และ InAs/InP โดยการใช้แบบจำลองด้วยคอมพิวเตอร์จากทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น (DFT) เพื่อศึกษาสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของโครงสร้างซับซ้อน ผลการศึกษาพบว่า การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อน เมื่อผ่านการผ่อนคลายโครงสร้างผลึก ตำแหน่งของอะตอมต่าง ๆ ภายในโครงสร้างจะเปลี่ยนไปเล็กน้อย ค่าคงที่แลตติซจะมีค่าระหว่างค่าคงที่แลตติซของสารประกอบเดิมซึ่งเป็นไปตามกฎของวีการ์ด การที่แต่ละอะตอมมีการเปลี่ยนตำแหน่งส่งผลให้การกระจายตัวของอิเล็กตรอนในระบบเปลี่ยนไป ทำให้คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของวัสดุเปลี่ยนไป โดยโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n มีช่องว่างระหว่างพลังงานเท่ากับ 1.472 eV และโครงสร้างซับซ้อนของ InAs/InP เป็นสารกึ่งโลหะ เนื่องจากไม่มีช่องว่างระหว่างพลังงาน และแถบเฟอร์มีอยู่ตรงจุดที่แถบวาเลนซ์และแถบคอนดักชันมาบรรจบกัน	en_US
dc.description.abstractalternative	III-V compound heterostructure is now of interest to many material scientists, since this type of semiconductors is commonly used as part of electronic devices. Nowadays, there are several methods to develop and improve the properties of materials. Combining two or more III-V compound semiconductors to form a heterostructure is one of the approaches. This project aims at investigating the electronic properties of III-V compound heterostructure by performing computational simulations based on density functional theory (DFT). The results show that after structural relaxation of the studied heterostructures, their atomic positions and lattice parameters are slightly changed with respect to those of the constituents. However, the changes in atomic positions of such heterostructures indeed affect the charge distribution, in particular electrons, and thus the materials’ electronic properties. For this particular case, the simulations reveal that a heterostructure of GaAs/GaP is an n-type semiconductor with an electronic bandgap of 1.472 eV, while a heterostructure of InAs/InP is semimetallic.	en_US
dc.language.iso	th	en_US
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en_US
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en_US
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	en_US
dc.subject	ธาตุหมู่ 15	en_US
dc.subject	ธาตุหมู่ 14	en_US
dc.subject	Semiconductors	en_US
dc.subject	Group 15 elements	en_US
dc.subject	Group 14 elements	en_US
dc.title	การศึกษาผลของการจัดเรียงอะตอมของสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อน (Heterostructure) โดยใช้แบบจำลองทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น	en_US
dc.title.alternative	DFT Simulation in III-V compound Heterostructure	en_US
dc.type	Senior Project	en_US
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en_US