การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (E[subscript g] [is approximately equal to] 0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

สมชัย รัตนธรรมพันธ์

dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.date.accessioned	2008-10-29T03:08:52Z
dc.date.available	2008-10-29T03:08:52Z
dc.date.issued	2550
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8382
dc.description		en
dc.description.abstract	ในงานวิจัยนี้ได้มีอิทธิพลของเงื่อนไขในการปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs บนแผ่นผลึกฐาน (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล คุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงาคล้ายกระจกเงา สำหรับการวิเคราะห์ความเรียบของผิวหน้า (Surface roughness) ของชั้นผลึกที่ปลูกได้กระทำโดยใช้เครื่อง Atomic Force Microscope (AFM) โดยทำการศึกษาอิทธิพลของค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึกและค่าความดันไอ As[subscript 4] ที่มีผลต่อคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs พบว่าชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs ที่ไม่มีการเจือมีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความหนาแน่นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1.68x10[superscript 16] -4.48x10[superscript 16] cm[superscript -3] และค่าความคล่องพาหะอยู่ในช่วง 700-1,791 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณภาพของชั้นผลึกอิพิแทกซี InGaAs ที่ปลูกได้ขึ้นกับเงื่อนไขต่างๆที่ใช้ในการปลูกผลึก ได้แก่ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกขณะทำการปลูกผลึกมีค่าในช่วง 440-480 องศาเซลเซียส และค่าความดันไอ As[subscript 4] มีค่าอยู่ในช่วง 3.3x10[superscript -6]-1.5x10[superscript -5] Torr นอกจากนี้ผลการวัดโฟโตลูมิเนสเซนซ์ของตัวอย่างในการทดลองนี้ไม่สามารถวัดได้ เนื่องมาจากผลของความเครียดที่เกิดจากความแตกต่างของค่าคงตัวผลึก รวมถึงคุณสมบัติของ Auger Recombination ที่เกิดขึ้นในผลึก InGaAs ที่ทำให้คุณสมบัติการเปล่งแสงของผลึก InGaAs นี้มีค่าต่ำมากจนไม่สามารถวัดได้	en
dc.description.abstractalternative	In this work, the growth of InGaAs layers on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) was investigated. The surface morphology of InGaAs layers on GaAs substrates was mirrors-like. The surface morphology were characterized by surface roughness using atomic force microscope (AFM). The effect of growth temperature and V/III ratios on the properties of InGaAs epi-layers were studied. The undoped InGaAs layers showed n-type conduction behavior with a background carrier concentration of 1.68x10[superscript 16] -4.48x10[superscript 16] cm[superscript -3] and mobility of 700-1,791 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der PAUW method at room temperature. These results showed a strong dependence of InGaAs epi-layer quality on the growth conditions such as growth temperature and As[subscript 4]/(In+Ga) flux ratios. The growth temperature is in the range of 440-480 degree Celsius and the As[subscript 4] pressure in the range of 3.3x10[superscript -6]-1.5x10[superscript -5] torr. The photoluminescence of samples can not be obtained because the lattice mismatched is induced by the strained in InGaAs epi-layers and Auger recombination.	en
dc.description.sponsorship	ทุนวิจัยงบประมาณแผ่นดิน ปี 2548	en
dc.format.extent	6765829 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.relation.ispartofseries	โครงการวิจัยเลขที่ 81G-EE-2548
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ
dc.subject	โฟโตลูมิเนสเซนซ์
dc.title	การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (E[subscript g] [is approximately equal to] 0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th