การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส

สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน

dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
dc.date.accessioned	2009-01-22T02:53:45Z
dc.date.available	2009-01-22T02:53:45Z
dc.date.issued	2550
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8713
dc.description.abstract	โครงการวิจัยนี้ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP ที่การเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ ซึ่งคุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ที่ใช้ในการปลูกผลึกมีผลต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปน Si มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความเข้มข้นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] และมีค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปนขึ้นกับปริมาณของ Si ที่เจือปนในขณะที่ทำการปลูกผลึก	en
dc.description.abstractalternative	In this work, the growth of Si-doped InP epi- layers on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using polycrystalline gallium phosphide (GaP) as a phosphorus source was investigated. The high quality Si-doped InP epi-layers on (100) GaAs substrates with specular surface morphology could be obtained. The effect of Si doping concentration on the properties of InP epi-layers were studied. The Si-doped InP epilayers showed n-type conduction behavior with carrier concentration of 10x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] and mobility of 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der PAUW method at room temperature. The results showed a strong dependence of growth quality of Si doping conditions.	en
dc.description.sponsorship	ทุนวิจัยกองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	6908357 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ
dc.title	การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส	en
dc.title.alternative	The growth of si-droped InP on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy using a GaP decomposition source	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th
dc.email.author	Choompol.A@chula.ac.th