Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/47765
| Title: | ระบบซี-วี ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์สำหรับศึกษาสมบัติของรอยต่อกึ่งตัวนำ |
| Other Titles: | Computerized C-V system for characterizing semiconductor junction |
| Authors: | วิชิต ศิริโชติ |
| Advisors: | สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ ขจรยศ อยู่ดี |
| Other author: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย |
| Advisor's Email: | ไม่มีข้อมูล Kajorn@sc.chula.ac.th |
| Issue Date: | 2531 |
| Publisher: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Abstract: | ในงานวิจัยนี้ได้สร้างระบบซี-วี ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์เพื่อใช้ในการศึกษาการวัดความสัมพันธ์ ความจุ-แรงดันไฟฟ้าของโครงสร้าง MIS ระบบที่สร้างขึ้นเป็นการเชื่อมต่อเครื่องวัดค่าความจุไฟฟ้า (Boonton 72A), เครื่องจ่ายไฟตรงแบบโปรแกรมได้ (Kepco ABC 425M) และเครื่องไมโครคอมพิวเตอร์แอปเปิลทู โดยสร้างส่วนอินเตอร์เฟสขึ้นมา เพื่อให้เป็นระบบเก็บบันทึกข้อมูลอัตโนมัตินอกจากนี้ยยังได้สร้างเครื่องวัดคาบเวลาเมื่อใช้ร่วมกับระบบซี-วี จะทำให้สามารถวัดลักษณะความจุไฟฟ้าเวลาของโครงสร้าง MIS ได้อีกด้วย จากข้อมูล ความจุ-แรงดันไฟฟ้าและความจุไฟฟ้า-เวลา เราสามารถหาปริมาณบ่งชี้ทางไฟฟ้า ได้แก่ ชนิดของพาหะข้างมาก, ปริมาณความเข้มข้นสารเจือปน, โปรไฟล์สารเจือปนและช่วงชีวิตของพาหะข้างน้อย การทดสอบการทำงานของระบบ ซี-วี กระทำโดยการทดลองใช้วัดตัวอย่างมาตรฐาน (อุปกรณ์ MOS มีโครงสร้างเป็นแบบ Al-SiO2-Si) พบว่า ค่าที่วัดได้จากระบบซี-วี มีค่าใกล้เคียงกับข้อมูลของตัวอย่างมาตรฐาน |
| Other Abstract: | In this research we have constructed a Computerized C-V system for the measurement of capacitance-voltage relation of MIS structure. The system combines a capacitance meter (Boonton 72A), a programmable power supply (Kepco ABC 425M) and an Apple II microcomputer with a home made interfacting unit, designed for the job as an automatic data acquisition system. In addition, with another home made time interval counter unit, the system can also be used for capacitance-time characteristic measurement conductivity type, carrier concentration, doping profile and minority carrier lifetime can be deduced, The C-V system was tested by standard samples (i.e. Al-SiO2-Si MOS device). Results of the measurement and the known parameters are in good agreement. |
| Description: | วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2531 |
| Degree Name: | วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต |
| Degree Level: | ปริญญาโท |
| Degree Discipline: | ฟิสิกส์ |
| URI: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/47765 |
| ISBN: | 9745694339 |
| Type: | Thesis |
| Appears in Collections: | Grad - Theses |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Wichit_si_front.pdf | 1.23 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_ch1.pdf | 395.32 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_ch2.pdf | 2.45 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_ch3.pdf | 1.4 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_ch4.pdf | 6.88 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_ch5.pdf | 756.48 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Wichit_si_back.pdf | 2.72 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.