Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/64430
| Title: | สภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคของสารไอรอนไดซิลิไซด์ที่เจือด้วยดีบุก |
| Other Titles: | Electrical resistivity and Seebeck coefficient of Iron disilicide doped with Sn impurity |
| Authors: | วีนัส เทศถมยา |
| Advisors: | สมชาย เกียรติกมลชัย |
| Other author: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์ |
| Advisor's Email: | Somchai.K@Chula.ac.th |
| Issue Date: | 2561 |
| Publisher: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Abstract: | โครงงานนี้เป็นการวัดสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคของสารไอรอนไดซิลิไซด์ที่เจือด้วย ดีบุกในปริมาณร้อยละ 0.0 0.1 0.2 0.3 และ 0.4 โดยอะตอมที่อุณหภูมิห้อง ซึ่งเตรียมสารตัวอย่างโดยการ ผสมเหล็กและซิลิกอนในอัตราส่วนร้อยละ 1:2 โดยอะตอม และนำไปหลอมเหลวในบรรยากาศอาร์กอนที่ อุณหภูมิ 1,550 ℃ และตัดสารตัวอย่างขนาด 10×10×2 มิลลิเมตร³ ทั้งหมด 5 ชิ้น การวัดสภาพต้านทาน ไฟฟ้าใช้วิธีแบบแวน เดอ พาว(van der Pauw) และวัดสัมประสิทธิ์ซีเบคโดยใช้เทคนิคหัววัดร้อน (hot probe technique) พบว่าเมื่อเจือดีบุกลงในสารตัวอย่างทำให้แนวโน้มของทั้งสองค่าลดลง โดยค่าสภาพต้านทาน ไฟฟ้าลดลงจาก 5.38±0.02 μΩ.m สำหรับไม่เจือดีบุก เป็น 2.438±0.009 μΩ.m สำหรับเจือดีบุกในปริมาณ ร้อยละ 0.4 โดยอะตอมตามลำดับ ทั้งนี้เนื่องจากดีบุกทำให้ชิ้นงานมีความเป็นโลหะมากขึ้น ส่งผลทำให้ค่า สภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ซีเบคลดลง ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคมีค่าไม่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ สำหรับทุกปริมาณของดีบุกที่เจือ ค่า Power factor ของสารตัวอย่างที่เจือดีบุกร้อยละ 0.3 ค่า มากที่สุด เท่ากับ 1.04±0.08 μV²/Ω.K² |
| Other Abstract: | The electrical resistivity and Seebeck coefficient of Iron disilicide doped with Sn impurity in the amount of 0.0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4 atomic percentage at room temperature were measured. Samples were prepared by mixing of iron and silicon at the 1: 2 atomic ratio and then melting in the argon atmosphere at a temperature of 1,550 ℃ and cutting into the sample size of 10×10×2 mm³. Electrical resistivity measurement was done following the van der Pauw method and Seebeck coefficient measurement by using the hot probe technique. We found that when Sn was added to the samples, the both quantities decreased with increasing Sn amount. The electrical resistivity decreased from 5.38±0.02 μΩ.m for undoped sample to 2.438±0.009 μΩ .m for 0.4%-Sn sample. It can be explained that Sn makes the sample becomes more metallic with less electrical resistant and less Seebeck effect. For Seebeck coefficient, Seebeck coefficient are not significantly different for all Sn. It was found that 0.3%-Sn sample has the highest power factor of 1.04±0.08 μV²/Ω .K². |
| Description: | โครงงานเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาตามหลักสูตรปริญญาวิทยาศาสตรบัณฑิต ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ปีการศึกษา 2561 |
| URI: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/64430 |
| Type: | Senior Project |
| Appears in Collections: | Sci - Senior Projects |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Vinus Th_Se_2561.pdf | 2.18 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.