Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/71869
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | ขจรยศ อยู่ดี | - |
| dc.contributor.author | ชาญวิทย์ จิตยุทธการ | - |
| dc.contributor.other | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย | - |
| dc.date.accessioned | 2021-01-21T06:23:30Z | - |
| dc.date.available | 2021-01-21T06:23:30Z | - |
| dc.date.issued | 2538 | - |
| dc.identifier.isbn | 9746315315 | - |
| dc.identifier.uri | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/71869 | - |
| dc.description | วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2538 | - |
| dc.description.abstract | ฟิล์มบาง CuInSe2 บนกระจกได้เตรียมขึ้นโดย 2 วิธีการที่คล้ายคลึงกัน วิธีแรกเป็นการระเหย CuInSe2 ภายใต้สูญญากาศแบบไม่ปรับอุณหภูมิของแผ่นรองรับ ตามด้วยการแอนนีลภายใต้บรรยากาศของซีลีเนียม ในภาชนะสแตนเลสทั้งแบบมีก๊าซอาร์กอนและไม่มี ที่อุณหภูมิของแผ่นรองรับที่อุณหภูมิต่าง ๆ กัน จากผลการตรวจสอบโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางด้วยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ พบว่ามีโครงสร้างผลึกแบบซาลโคไพไรท์ โดยฟิล์มบางที่เตรียมได้จากวิธีแรกมีการลอกของเนื้อฟิล์ม ส่วนวิธีที่สองได้ฟิล์มบางที่มีผิวเรียบและมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงมากกว่า 105 cm-1 ขนาดของช่องว่างแถบพลังงานมีค่าประมาณ 1.01 ev. ฟิล์มบาง CuInSe2 สามารถเตรียมให้มีชนิดการนำไฟฟ้าเป็นแบบเอ็นหรือแบบพี ได้จากวิธีที่สองด้วยการปรับอุณหภูมิของแผ่นรองรับที่อุณหภูมิต่าง ๆ และอัตราการเคลือบของซีลีเนียม | - |
| dc.description.abstractalternative | CuInSe2 thin films on glass substrates were prepared by two similar methods. The first method involved evaporation of CuInSe2 under high vacuum without substrate heating, followed by annealing under Se vapor in an evacuated or argon-filled stain less chamber at different temperatures. The second method involved co-evaporation of CuInSe2 and Se under high vacuum with substrate heating at different temperatures. The crystal structure of the films was found to be chalcopyrite structure by the results of the X-ray diffraction method. The thin films from the first method peeled off of the glass substrate, but the films from the other method were smooth and have an absorption coefficient of more than 105cm-1 with an energy gap of about 1.01 eV. CuInSe2 Thin films of n-type or p-type can be prepared by the second method with different substrate temperatures and deposition rates of selenium. | - |
| dc.language.iso | th | - |
| dc.publisher | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย | - |
| dc.rights | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย | - |
| dc.subject | ฟิล์มบาง -- สมบัติทางไฟฟ้า | - |
| dc.subject | คอปเปอร์อินเดียมซิลิไนด์ | - |
| dc.subject | สารกึ่งตัวนำ -- การดูดกลืนแสง | - |
| dc.subject | สารกึ่งตัวนำ -- สมบัติเชิงไฟฟ้า | - |
| dc.title | การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ | - |
| dc.title.alternative | Preparation and electrical characterization of copper indium diselenide thin films | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.degree.name | วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต | - |
| dc.degree.level | ปริญญาโท | - |
| dc.degree.discipline | ฟิสิกส์ | - |
| dc.degree.grantor | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย | - |
| Appears in Collections: | Grad - Theses | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Chanwit_ch_front_p.pdf | 1.1 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch1_p.pdf | 702.55 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch2_p.pdf | 1.04 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch3_p.pdf | 805.32 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch4_p.pdf | 831.79 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch5_p.pdf | 1.58 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch6_p.pdf | 1.8 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch7_p.pdf | 5.89 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_ch8_p.pdf | 675.64 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| Chanwit_ch_back_p.pdf | 705.01 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.