1. CUIR at Chulalongkorn University
  2. Faculty and Institute
  3. Faculty of Science - Sci
  4. Sci - Senior Projects
Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/79153
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorธิติบวร รัตนารักษ์-
dc.contributor.advisorอรรณพ เอกธาราวงศ์-
dc.contributor.authorประภัสสร พันธ์ภักดี-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์-
dc.date.accessioned2022-07-04T05:55:35Z-
dc.date.available2022-07-04T05:55:35Z-
dc.date.issued2563-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/79153-
dc.descriptionโครงงานเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาตามหลักสูตรปริญญาวิทยาศาสตรบัณฑิต ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ปีการศึกษา 2563en_US
dc.description.abstractสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อนเป็นสารประกอบที่ได้ความสนใจในปัจจุบัน เนื่องจากเป็นสารกึ่งตัวนำที่นิยมนำมาเป็นส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาทำเป็นโครงสร้างซับซ้อนเป็นวิธีการหนึ่งในการพัฒนาและปรับปรุงคุณสมบัติของวัสดุให้เหมาะสมกับการใช้งานในอุตสาหกรรมต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องในงานวิจัยนี้จะศึกษาผลของการนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP และ InAs/InP โดยการใช้แบบจำลองด้วยคอมพิวเตอร์จากทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น (DFT) เพื่อศึกษาสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของโครงสร้างซับซ้อน ผลการศึกษาพบว่า การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อน เมื่อผ่านการผ่อนคลายโครงสร้างผลึก ตำแหน่งของอะตอมต่าง ๆ ภายในโครงสร้างจะเปลี่ยนไปเล็กน้อย ค่าคงที่แลตติซจะมีค่าระหว่างค่าคงที่แลตติซของสารประกอบเดิมซึ่งเป็นไปตามกฎของวีการ์ด การที่แต่ละอะตอมมีการเปลี่ยนตำแหน่งส่งผลให้การกระจายตัวของอิเล็กตรอนในระบบเปลี่ยนไป ทำให้คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของวัสดุเปลี่ยนไป โดยโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n มีช่องว่างระหว่างพลังงานเท่ากับ 1.472 eV และโครงสร้างซับซ้อนของ InAs/InP เป็นสารกึ่งโลหะ เนื่องจากไม่มีช่องว่างระหว่างพลังงาน และแถบเฟอร์มีอยู่ตรงจุดที่แถบวาเลนซ์และแถบคอนดักชันมาบรรจบกันen_US
dc.description.abstractalternativeIII-V compound heterostructure is now of interest to many material scientists, since this type of semiconductors is commonly used as part of electronic devices. Nowadays, there are several methods to develop and improve the properties of materials. Combining two or more III-V compound semiconductors to form a heterostructure is one of the approaches. This project aims at investigating the electronic properties of III-V compound heterostructure by performing computational simulations based on density functional theory (DFT). The results show that after structural relaxation of the studied heterostructures, their atomic positions and lattice parameters are slightly changed with respect to those of the constituents. However, the changes in atomic positions of such heterostructures indeed affect the charge distribution, in particular electrons, and thus the materials’ electronic properties. For this particular case, the simulations reveal that a heterostructure of GaAs/GaP is an n-type semiconductor with an electronic bandgap of 1.472 eV, while a heterostructure of InAs/InP is semimetallic.en_US
dc.language.isothen_US
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
dc.subjectสารกึ่งตัวนำen_US
dc.subjectธาตุหมู่ 15en_US
dc.subjectธาตุหมู่ 14en_US
dc.subjectSemiconductorsen_US
dc.subjectGroup 15 elementsen_US
dc.subjectGroup 14 elementsen_US
dc.titleการศึกษาผลของการจัดเรียงอะตอมของสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อน (Heterostructure) โดยใช้แบบจำลองทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่นen_US
dc.title.alternativeDFT Simulation in III-V compound Heterostructureen_US
dc.typeSenior Projecten_US
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
Appears in Collections:Sci - Senior Projects

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
63-SP-PHYS-010-Praphassorn Panphagdee.pdf1.61 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.