Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/79153
| Title: | การศึกษาผลของการจัดเรียงอะตอมของสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อน (Heterostructure) โดยใช้แบบจำลองทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น |
| Other Titles: | DFT Simulation in III-V compound Heterostructure |
| Authors: | ประภัสสร พันธ์ภักดี |
| Advisors: | ธิติบวร รัตนารักษ์ อรรณพ เอกธาราวงศ์ |
| Other author: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์ |
| Subjects: | สารกึ่งตัวนำ ธาตุหมู่ 15 ธาตุหมู่ 14 Semiconductors Group 15 elements Group 14 elements |
| Issue Date: | 2563 |
| Publisher: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Abstract: | สารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 ที่มีโครงสร้างซับซ้อนเป็นสารประกอบที่ได้ความสนใจในปัจจุบัน เนื่องจากเป็นสารกึ่งตัวนำที่นิยมนำมาเป็นส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาทำเป็นโครงสร้างซับซ้อนเป็นวิธีการหนึ่งในการพัฒนาและปรับปรุงคุณสมบัติของวัสดุให้เหมาะสมกับการใช้งานในอุตสาหกรรมต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องในงานวิจัยนี้จะศึกษาผลของการนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP และ InAs/InP โดยการใช้แบบจำลองด้วยคอมพิวเตอร์จากทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น (DFT) เพื่อศึกษาสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของโครงสร้างซับซ้อน ผลการศึกษาพบว่า การนำสารประกอบธาตุหมู่ 3 และหมู่ 5 มาประกอบเป็นโครงสร้างซับซ้อน เมื่อผ่านการผ่อนคลายโครงสร้างผลึก ตำแหน่งของอะตอมต่าง ๆ ภายในโครงสร้างจะเปลี่ยนไปเล็กน้อย ค่าคงที่แลตติซจะมีค่าระหว่างค่าคงที่แลตติซของสารประกอบเดิมซึ่งเป็นไปตามกฎของวีการ์ด การที่แต่ละอะตอมมีการเปลี่ยนตำแหน่งส่งผลให้การกระจายตัวของอิเล็กตรอนในระบบเปลี่ยนไป ทำให้คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของวัสดุเปลี่ยนไป โดยโครงสร้างซับซ้อนของ GaAs/GaP เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n มีช่องว่างระหว่างพลังงานเท่ากับ 1.472 eV และโครงสร้างซับซ้อนของ InAs/InP เป็นสารกึ่งโลหะ เนื่องจากไม่มีช่องว่างระหว่างพลังงาน และแถบเฟอร์มีอยู่ตรงจุดที่แถบวาเลนซ์และแถบคอนดักชันมาบรรจบกัน |
| Other Abstract: | III-V compound heterostructure is now of interest to many material scientists, since this type of semiconductors is commonly used as part of electronic devices. Nowadays, there are several methods to develop and improve the properties of materials. Combining two or more III-V compound semiconductors to form a heterostructure is one of the approaches. This project aims at investigating the electronic properties of III-V compound heterostructure by performing computational simulations based on density functional theory (DFT). The results show that after structural relaxation of the studied heterostructures, their atomic positions and lattice parameters are slightly changed with respect to those of the constituents. However, the changes in atomic positions of such heterostructures indeed affect the charge distribution, in particular electrons, and thus the materials’ electronic properties. For this particular case, the simulations reveal that a heterostructure of GaAs/GaP is an n-type semiconductor with an electronic bandgap of 1.472 eV, while a heterostructure of InAs/InP is semimetallic. |
| Description: | โครงงานเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาตามหลักสูตรปริญญาวิทยาศาสตรบัณฑิต ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ปีการศึกษา 2563 |
| URI: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/79153 |
| Type: | Senior Project |
| Appears in Collections: | Sci - Senior Projects |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 63-SP-PHYS-010-Praphassorn Panphagdee.pdf | 1.61 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.