Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/25829
Title: การใช้ดีบุกออกไซด์ในกระบวนการผลิตเซลแสงอาทิตย์โดยวิธีฉาบไอเคมี
Other Titles: An application of SnO2 in solar cell processing by chemical vapour deposition
Authors: สุรพล ศรีแก้ว
Advisors: สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว
ภิยโย ปันยารชุน
Issue Date: 2526
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: วิทยานิพนธ์นี้ประกอบด้วย เนื้อหา 2 ส่วน ส่วนแรกได้แก่ การศึกษาการเตรียมชั้นดีบุกออกไซด์โดยวิธีฉาบไอเคมี และนำไปตรวจสอบคุณสมบัติทางกายภาพของชั้นดีบุกออกไซด์นั้น ส่วนหลังเป็นการนำชั้นดีบุกออกไซด์มาประยุกต์ในกระบวนการผลิตเซลแสงอาทิตย์ เพื่อใช้เป็นชั้นกั้นการสะท้อนชองแสง และขั้วโลหะโปร่งแสงของเซลแสงอาทิตย์ วัสดุเริ่มต้นที่ใช้ในการเตรียมชั้นดีบุกออไซด์โดยวิธีฉาบไอเคมีได้แก่ ออกซิเจน ดีบุกออกไซด์ซึ่งมีสถานะเป็นไอโดยใช้ก๊าซไนโตรเจนเป็นตัวพา ปฏิกิริยาเคมีเกิดขึ้นภายในครอบแก้ว ที่มีวัสดุฐานวางอยู่บนตัวให้ความร้อนซึ่งจะให้ความร้อนที่เหมาะสม อัตราการไหลของก๊าซออกซิเจนและไนโตรเจนที่ใช้ในการทดลองมีค่า 40-500 และ 15-200 ลูกบาศก์เซนติเมตรต่อนาทีตามลำดับ โดยอุณหภูมิของวัสดุฐานมีค่าระหว่าง 300-500 ℃ ชั้นดีบุกออกไซด์เกิดขึ้นด้วยอัตรา 1.5-800 นาโนเมตรต่อนาที ผลการตรวจสอบคุณสมบัติทางกายภาพของชั้นดีบุกออไซด์พบว่า โครงสร้างทางผลึกของสารเป็นอสัญฐาน เมื่อเตรียมที่อุณหภูมิ 300 ℃ และเปลี่ยนเป็นผลึกพหุพนธ์เมื่อเตรียมที่อุณหภูมิ 400-500 ℃ แถบพลังงานต้องห้ามแบบตรงของสารมีค่า 3.90 อิเลคตรอนไวลท์ เซลแสงอาทิตย์แบบหัวต่อพีเอ็นที่มีชั้นดีบุกออกไซด์เป็นชั้นกั้นการสะท้อนของแสงมีประสิทธิภาพสูงถึง 12 % โดยมีแรงดันวงจรเปิด 0.58 โวลท์ กระแสลัดวงจร 35 มิลลิแอมแปร์ต่อตารางเซนติเมตร และค่าฟิลล์แฟคเตอร์ 0.6 นอกจากนี้ยังมีลักษณะเด่นอื่น ๆ ได้แก่ การมีผลตอบสนองต่อแสงในช่วงกว้างขึ้นโดยเฉพาะในย่านความถี่เหนือม่วง ชั้นดีบุกออกไซด์นี้ยังได้นำมาสร้างเซลแสงอาทิตย์แบบ ช้อตกีแบเรีย และมิส (MIS อีกด้วย)
Other Abstract: This thesis is composed of two parts. The first part is the study on preparation techniques of tin oxide by means of chemical Vapour Deposition and the investigation of its physical properties. The second is the application of tin oxide in solar cell processing for antireflection coating and transparent electrode of solar cells. The starting materials for tin oxide preparation by Chemical Vapour Deposition method are oxygen and tin chloride vapour with nitrogen as a carrier gas. Chemical reaction is conducted in a glass chamber on the heated substrate at appropriate temperature. The flow rate of oxygen and nitrogen gas were 40-500 and 15-200 cubic centimeters per minute respectively. Substrate temperature was set at 300-500 ℃. The growth rate of tin oxide at 1.5-800 nanometre per minute was obtained. The results of investigation of physical properties of tin oxide show that the structure of thin film is an amorphous at the preparation temperature of 300℃ and become a polycrystalline at the preparation temperature between 400℃ and 500℃ with a direct bandgap of 3.90 electronvolts. P-N junction solar cells with tin oxide film as an antireflection show an efficiency of 12 % with the open circuit of 0.58 volts, short circuit current of 35 milliampere per square centimeters and the fill factor of 0.6 other improved characteristics like broader spectrum response at ultraviolet region are achieved. Tin oxide thin film was also experimented in the processing of Schottky barrier and metal-insulator-semiconductor (MIS) solar cells.
Description: วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2526
Degree Name: วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต
Degree Level: ปริญญาโท
Degree Discipline: ฟิสิกส์
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/25829
ISBN: 9745622761
Type: Thesis
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Surapon_Sr_front.pdf491.04 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_ch1.pdf225.09 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_ch2.pdf828.22 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_ch3.pdf672.47 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_ch4.pdf357.23 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_ch5.pdf265.55 kBAdobe PDFView/Open
Surapon_Sr_back.pdf800.11 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.