Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/27686
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorบรรยง โตประเสริฐพงศ์
dc.contributor.authorอนุพงศ์ สรงประภา
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย
dc.date.accessioned2012-12-14T10:17:35Z
dc.date.available2012-12-14T10:17:35Z
dc.date.issued2529
dc.identifier.isbn9745669865
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/27686
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2529en
dc.description.abstractชั้นเอพิแทกซีเฟสของเหลวของแกลเลียมอาร์เซไนด์ได้ถูกปลุกขึ้นบนซับสเตรตแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีพื้นผิวเป็นระนาบ (100) เตาปลูกชั้นเอพิแทกซีที่ใช้เป็นแบบแนวดิ่ง ชั้นเอพิแทกซีที่มีลักษณะพื้นผิวเรียบที่สุดได้จากการเริ่มให้มีการเกิดผลึกเมื่อสารละลายแกลเลียมเย็นอย่างยวดยิ่ง 1 ถึง 5 °ซ จากอุณหภูมิที่สมดุลเริ่มต้นคือ 792 °ซ อย่างไรก็ดี ฝุ่นละอองและอ็อกไซด์ที่จับผิวหน้า ซับสเตรตก่อนการปลูกผลึกยังผลให้พื้นผิวชั้นเอพิแทกซีทั้งหมดมีลักษณะเป็นหลุมกระจายอยู่ทั่วไป จึงอาจไม่สามารถใช้ประโยชน์จากชั้นที่บางกว่าประมาณ 10 ไมครอนได้ โซลูทัล คอนเวคชั่น ทำให้อัตราการเกิดผลึกมีค่าสูงกว่าอัตราซึ่งทำนายโดยทฤษฎีการแพร่สำหรับสารละลายที่นิ่ง ความหนาของชั้นเอพิแทกซีทำให้ซ้ำกันได้ยาก และความหนาของชั้นเอพิแทกซีที่ตอนล่างของซับสเตรตจะหนากว่าตอนบน โดยไม่ตั้งใจใส่สารเจือปนใด ๆ ลงในสารละลายปรากฏว่าชั้นเอพิแทกซีที่ได้เป็นชนิดเอ็น มีค่าความเข้มข้นและความคล่องตัวของพาหนะโดยประมาณคือ 4.9 x 10¹⁶ ซม.⁻³ และ 6390 ซม.² โวลต์⁻¹วินาที⁻¹ ตามลำดับ
dc.description.abstractalternativeLiquid phase eqitaxial layers of GaAs were grown in a vertical “dipping” system on (100) oriented GaAs substrates. The smoothest layer were obtained when the substrates were dipped in the solution supercooled by 1 to 5 ℃ from its initial equilibrium temperature of 792 ℃. However, dusts and oxides presented on the substrate surface prior to the growths resulted in depressions in all of the epitaxial layers limiting the useful ones to be thicker than about 10 microns. Solutal convection caused the layers to grow faster than those predicted by diffusion theory for the case of static solution, the thickness reproducibility was poor and thicker at the bottom than at the top of the sample. Without deliberate doping of the melt, the layers are all n-type and the approximate values of their carrier concentration and mobility are 4.9 x 10¹⁶ cm.⁻³ and 6390 cm.² v⁻¹s⁻¹ respectively.
dc.format.extent556224 bytes
dc.format.extent297387 bytes
dc.format.extent316580 bytes
dc.format.extent680760 bytes
dc.format.extent452505 bytes
dc.format.extent5962893 bytes
dc.format.extent254402 bytes
dc.format.extent331123 bytes
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.titleการปลูกผลึกแกลเลียมอาร์เซไนด์แบบเอพิแทกซีจากเฟส ของเหลวในชุดอุปกรณ์แนวดิ่งen
dc.title.alternativeEpitaxial growth of gallium arsenide crystals from the liquid phase in vertical apparatusen
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิทยาศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineฟิสิกส์es
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Anupong_Sr_front.pdf543.19 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch1.pdf290.42 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch2.pdf309.16 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch3.pdf664.8 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch4.pdf441.9 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch5.pdf5.82 MBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_ch6.pdf248.44 kBAdobe PDFView/Open
Anupong_Sr_back.pdf323.36 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.