การสังเคราะห์ฟิล์มบางคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยสารซัลเฟอร์โดยเทคนิคดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง

อรัญญา แซ่เฮ้ง

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/30665

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	ณัฐพร โทณานนท์	-
dc.contributor.advisor	บุญโชติ เผ่าสวัสดิ์ยรรยง	-
dc.contributor.author	อรัญญา แซ่เฮ้ง	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2013-04-27T07:21:11Z	-
dc.date.available	2013-04-27T07:21:11Z	-
dc.date.issued	2553	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/30665	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2553	en
dc.description.abstract	การสังเคราะห์ฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรของเป้าผสมซัลเฟอร์กับแกรไฟต์ ทำโดยการตกสะสมโดยดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริงที่ความดัน 8 x 10¯² ทอร์ ในระบบบรรยากาศแก็สอาร์กอนที่อัตราการไหล 2 sccm ทำให้เกิดฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยซัลเฟอร์ เป้าผสมซัลเฟอร์กับแกรไฟต์ทำจากการผสมผงซัลเฟอร์กับแกรไฟต์ที่จำนวนร้อยละของโมล่าร์ของซัลเฟอร์แตกต่างกัน เช่น 0%, 2%, 5%, 8% และ 10% ฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยซัลเฟอร์ถูกปลูกลงบนแผ่นรองรับซิลิกอนและควอตซ์ ที่ความหนาแน่นกำลังไฟฟ้า เวลา และจำนวนร้อยละของโมล่าร์ของซัลเฟอร์ที่มีต่อสมบัติทางไฟฟ้า ทางแสง ทางกายภาพ และทางโครงสร้างของฟิล์มได้ถูกศึกษา ฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยซัลเฟอร์ในงานนี้ มีค่าสภาพนำไฟฟ้าของฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรและฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรอยู่ในช่วง 2.82X10¯² (Ω cm)¯¹ ถึง 1.84X10¯³ (Ω cm)¯¹ และค่าสภาพนำไฟฟ้าของฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยซัลเฟอร์อยู่ในช่วง 5.95X10¯¹ (Ω cm)¯¹ ถึง 6.39X10¯³ (Ω cm)¯¹ สอดคล้องกับค่าแถบพลังงานของฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรและฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยซัลเฟอร์ในช่วง 1.066-1.967 และ1.08-2.38 อิเล็กตรอนโวลต์ ตามลำดับ ลักษณะพื้นผิวหน้าของฟิล์มพบอนุภาคระดับไมครอนกระจายบนพื้นผิว เมื่อวิเคราะห์ลักษณะโครงสร้างด้วยรามานสเปกโทรสโกปีที่อัตราส่วนปริมาณคาร์บอนต่อซัลเฟอร์ 0-10% ปรากฎสเปกตรัมรามานที่ปรากฎพีค D และพีค G ที่ตำแหน่งเลขคลื่น 1413 และ 1573 cm¯¹ ตามลำดับ แต่เมื่อเพิ่มปริมาณซัลเฟอร์ 2-10% พบว่าตำแหน่งพีค G เลื่อนลงจากเลขคลื่น 1573 ไปที่เลขคลื่น 1477 cm¯¹ และอัตราส่วน ID/IG เพิ่มขึ้นจาก 0.43 ไป 0.52 แสดงถึงความเป็นเพชรเพิ่มมากขึ้น	en
dc.description.abstractalternative	In this work, Diamornd-like carbon (DLC) and sulfur doped DLC films (S-DLC) were deposited on glass and quartz substrates by DC magnetron sputtering technique. The target were made from the mixture of sulfur and graphite power with different percent sulfur by molar such as 0%, 2%, 5%, 8%, and 10% under working pressure 8x10¯² torr. The total argon gas flow was kept constant at 2 sccm. The effects of power density, time and sulfur molar percentage on the electrical, optical, physical and structural properties of the resulting films were studied. The DLC and S-DLC films in this work showed conductivity values in the range of 2.82X10¯² (Ω cm)¯¹ to 1.84X10¯³ (Ω cm)¯¹ and 5.95X10¯¹ to 6.39X10¯³ (Ω cm)¯¹ respectively, corresponding to energy band gap in the range of 1.066-1.967 and 1.08-2.38 eV respectively. The surface morphology showed the presence of micron-sized particulates on the surface. The Raman spectra of DLC and S-DLC films can be deconvoluted into two Gaussian peaks which show the centre of graphite band at 1573 cm¯¹ and disorder band at 1413 m¯¹ and graphite band at 1573 cm¯¹ and disorder band at 1477 cm¯¹ respectively. It was found that the G-band peak position shift down and ID/IG ratio shifted to higher were in the range 0.43-0.52 with increasing percent of sulfur in the targets which indicates the increase of vibrating mode in the D band of S-DLC films. Hence, the Raman spectra of the S-DLC films become increasingly sp² with percent sulfur.	-
dc.format.extent	2832417 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.relation.uri	http://doi.org/10.14457/CU.the.2011.5	-
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	ฟิล์มบางเพชร	en
dc.subject	ฟิล์มบาง	en
dc.subject	สปัตเตอริง (ฟิสิกส์)	en
dc.title	การสังเคราะห์ฟิล์มบางคาร์บอนคล้ายเพชรเจือด้วยสารซัลเฟอร์โดยเทคนิคดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง	en
dc.title.alternative	Synthesis of sulphur doped diamond like carbon films using DC magnetron sputtering method	en
dc.type	Thesis	es
dc.degree.name	วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต	es
dc.degree.level	ปริญญาโท	es
dc.degree.discipline	วิศวกรรมเคมี	es
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.email.advisor	nattaporn.t@chula.ac.th	-
dc.email.advisor	paosawat@sc.chula.ac.th	-
dc.identifier.DOI	10.14457/CU.the.2011.5	-
Appears in Collections:	Eng - Theses

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Arunya_sa.pdf		2.77 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record