1. CUIR at Chulalongkorn University
  2. Faculty and Institute
  3. Graduate School - Grad
  4. Grad - Theses
Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/48777
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorบรรยง โตประเสริฐพงศ์-
dc.contributor.advisorชุมพล อันตรเสน-
dc.contributor.authorสมชัย รัตนธรรมพันธ์-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย-
dc.date.accessioned2016-06-10T07:27:34Z-
dc.date.available2016-06-10T07:27:34Z-
dc.date.issued2531-
dc.identifier.isbn9745686042-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/48777-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2531en_US
dc.description.abstractจุดมุ่งหมายของการวิจัยนี้เพื่อศึกษาพื้นฐานของวิธีการสร้างผิวสัมผัสโอห์มมิกแกลเลียมอาร์เซไนด์ ผลการทดลองพบว่าผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นใช้โครงสร้าง Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด 3.36x10⁻⁶ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 475 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 นาที และผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดพีในโครงสร้าง Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด คือ 8.22x10⁻⁵ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 6 นาที ตัวอย่างที่ผ่านการแอนนีลในเงื่อนไขที่เหมาะสมจะมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันของผิวสัมผัสเป็นเชิงเส้น ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นอิทธิพลองเวลาและอุณหภูมิที่ใช้ในการแอนนีล สุดท้ายนี้ของการวิจัยได้นำผลที่ได้จากการทดลองไปประยุกต์ใช้งานในการสร้างไดโอดที่ทำจากแกลเลียมอาร์เซไนด์ เพื่อสาธิตประโยชน์ของความรู้นี้ในกระบวนการผลิตสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำen_US
dc.description.abstractalternativeThis study was to investigate the fundamental fo GaAs ohmic contacts fabrication. It was found that the ohmic contacts to n-GaAs in structure of Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/cm⁻³) has the minimum specific contacts resistance 3.36x10⁻⁶ ohm-cm² when annealed at 475℃ for 2 min., and the ohmic contacts to p-GaAs in structure of Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ cm⁻³) has the minimum specific contacts resistance 8.22x10⁻⁵ ohm-cm² when annealed at 500℃ for 6 min. The I-V characteristics of contacts become linear when they were annealed under appropriate conditions. This result indicates the dependence of specific resistivity of contacts on temperature and time of annealing. Finally, the knowledge of this study was applied to fabrication of GaAS diode to demonstrate its usefulness in semiconductor device processing.en_US
dc.language.isothen_US
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
dc.titleการศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์en_US
dc.title.alternativeA study of ohmic contacts to gallium arsenideen_US
dc.typeThesisen_US
dc.degree.nameวิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิตen_US
dc.degree.levelปริญญาโทen_US
dc.degree.disciplineวิศวกรรมไฟฟ้าen_US
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen_US
dc.email.advisorBanyong.T@Chula.ac.th-
dc.email.advisorChoompol.A@chula.ac.th-
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Somchai_ra_front.pdf1.86 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch1.pdf806.41 kBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch2.pdf1.5 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch3.pdf1.64 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch4.pdf1.47 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch5.pdf1.12 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch6.pdf1.43 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch7.pdf1.19 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch8.pdf1.19 MBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_ch9.pdf282.27 kBAdobe PDFView/Open
Somchai_ra_back.pdf973.33 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.