การศึกษาการประเมินอายุของไอซีโดยการทดสอบเร่ง

สมชบา สังสิทธิเวทย์

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/6290

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	สมบูรณ์ จงชัยกิจ	-
dc.contributor.author	สมชบา สังสิทธิเวทย์	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2008-03-19T04:49:13Z	-
dc.date.available	2008-03-19T04:49:13Z	-
dc.date.issued	2546	-
dc.identifier.isbn	9741752733	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/6290	-
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2546	en
dc.description.abstract	วิทยานิพนธ์นี้เป็นการศึกษาการประเมินอายุของไอซีโดยการทดสอบเร่ง ซึ่งเป็นวิธีการทดสอบเพื่อเร่งให้ไอซีเกิดความล้มเหลวเร็วขึ้นโดยการเพิ่มความเค้น(Stress) จากนั้นจึงนำข้อมูลช่วงเวลาก่อนล้มเหลว (Time-to-failure Data) ที่ได้จากการทดสอบเร่งไปประเมินอายุของไอซีที่สภาวะการใช้งานปกติโดยอาศัยทฤษฎีทางสถิติและแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่เหมาะสม นอกจากนั้นข้อมูลที่ได้จากการทดสอบยังเป็นประโยชน์ในการอธิบายลักษณะต่าง ๆ ที่เกี่ยวกับคุณภาพได้อีกด้วย เช่น การประเมินอัตราการเกิดความล้มเหลว (Failure Rate) เป็นต้น ความเค้นที่นำมาทดสอบ คือ อุณหภูมิและแรงดัน ไอซีที่ใช้ทดสอบเป็นไอซีประเภทหน่วยความจำแบบแฟลช (Flash Memory) ซึ่งมีเทคโนโลยีการผลิตเป็นแบบ CMOS มีการห่อหุ้มแบบ TSOP (Thin Small Outline Package) จำนวนตัวอย่างที่ใช้ในการทดสอบแต่ละครั้งมีจำนวน 50 ตัวอย่าง โดยทำการทดสอบทั้งสิ้น 56 ครั้ง การทดสอบสามารถประเมินอายุเฉลี่ยของไอซีได้ 187,790 ชั่วโมง (ประมาณ 21 ปี) โดยพิจารณาข้อมูลจากลักษณะความล้มเหลวชนิดเดียว (Single Failure Mode) และกำหนดให้ลักษณะความล้มเหลวที่เกี่ยวเนื่องกับความเร็วในการอ่านข้อมูล เป็นเกณฑ์การกำหนดอายุเฉลี่ย (Mean Life)	en
dc.description.abstractalternative	This thesis is to study on life assessment of IC by accelerated testing, which accelerates IC to fail earlier by increasing stress. Then time-to-failure data, gathered from accelerated testing, will be used to evaluate life time in the normal operation condition by using suitable statistical theory and mathematical models. Moreover, the information gathered from the testing can describe other characteristics which concern about quality such as failure rate. The stresses used in this experiment are temperature and voltage. The testing performs with flash memory IC, which are fabricated by CMOS technology and TSOP(Thin Small Outline Package) packaging. Number of samples for each experiment is fifty. Fifty-six experiments are done. The mean life time of IC, determining from the single failure mode, is about 187,790 hours (21 years) based on the failure mode relevant to the speed of IC.	en
dc.format.extent	5626224 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	แผงวงจรไฟฟ้า	en
dc.title	การศึกษาการประเมินอายุของไอซีโดยการทดสอบเร่ง	en
dc.title.alternative	The study on life assessment of IC by accelerated testing	en
dc.type	Thesis	es
dc.degree.name	วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต	es
dc.degree.level	ปริญญาโท	es
dc.degree.discipline	วิศวกรรมไฟฟ้า	es
dc.degree.grantor	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.email.advisor	feescc@kankrow.eng.chula.ac.th	-
Appears in Collections:	Eng - Theses

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Somchaba.pdf		5.49 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record