Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/72115
Title: การศึกษาผลตอบสเปกตรัมจากโครงสร้างมัลติควันตัมเวลล์ ของแกลเลียมอาร์เซไนด์/อะลูมิเนียมแกลเลียมอาร์เซไนด์
Other Titles: Study on spectral response of GaAs/AlGaAs multiquantum well structures
Authors: อรรถชัย แมนมนตรี
Advisors: สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย
Advisor's Email: Somsak.P@Chula.ac.th
Subjects: ควอนตัมเวลล์
โฟโตลูมิเนสเซนซ์
Quantum wells
Photoluminescence
Issue Date: 2540
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: วิทยานิพนธ์ฉบับนี้เป็นกรณีศึกษาทางด้านทฤษฏีที่เป็นพื้นฐานเกี่ยวกับกระบวนการทางแสงที่เกิดขึ้นในโครงสร้างควันตัมเวลล์ เพื่อนำไปใช้ในการวิจัยและพัฒนาสิ่งประดิษฐ์ออปโต-อิเล็คทรอนิกส์โดยได้มีการศึกษาทางด้านพฤติกรรมการเคลื่อนที่ของพาหะในโครงสร้างควันตัมเวลล์และผลตอบสเปกตรัมจากโครงสร้างมัลติควันตัมเวลล์ของแกลเลียมอาร์เซไนต์/อะลูมิเนียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ พฤติกรรมการเคลื่อนที่ของพาหะ การมีระดับพลังงานควันไตซ์ที่ขึ้นอยู่กับควมกว้างของชั้นเวลล์และความสูงของชั้นกำแพงในโครงสร้างควันตัมเวลล์ และการเกิดเป็นแถบพลังงาน minibands ในโครงสร้างมัลติควันตัมเวลล์ได้ถูกอธิบายโดยใช้สมการโชรดิงเจอร์และโปรแกรมสำเร็จรูปทางด้านกลศาสตร์ควันตัม ได้มีการนำเสนอผลตอบสเปกตรัมของ โฟโตลูมิเนสเซนซ์ การทะลุผ่านแสง และผลตอบสนอต่อแสงจากโครงสร้างมัลติควันตัมเวลล์ของแกลเลียมอาร์เซไนต์/อะลูมิเนียมแกลเลียมอาร์เซ-ไนด์ที่ถูกเตรียมขึ้นโดย molecular beam epitaxy อันได้แก่ การขึ้นกับอุณหภูมิของสเปกตรัมโฟโตลูมิเนสเซนซ์ที่มียอดแหลมในช่วงความยาวคลื่นแสงที่ตามองเห็นได้ ค่าการทะลุผ่านแสงที่แสดงถึงการดูดกลืนแสงของพาะหะที่เกิดขึ้นระหว่างระดับพลังงานควันไตซ์ที่บริเวณค่าความยาวคลี้นซึ่งใกล้เคียงกับผลที่ได้จากสเปกตรัมโฟโตลูมิเนสเซนซ์และยืนยันผลจากค่าผลตอบสนองต่อแสงซึ่งเกิดจากการเคลื่ยนที่ของพาหนะในโครงสร้างมัลติควันตัมเวลล์ภายใต้สนามไฟฟ้าใน แนวขนานและตั้งฉกกับรอย่อของสารกึ่งตัวนำ
Other Abstract: This thesis is an investigation of the ooptical processes in quantum well structures for research for research and development of optoelectronic devices. The carrier transport in quantum well structures are reported are discussed in this thesis. The carrier transport, dependence of quantized subband energies in quantum well structures to the well widths and the barrier neights and also the minibands in multiquantum well structures were described by using the Schrdinger cquation and the interactive program of quantum mechanics. The photolumines characteristics, properties and responsivity of GaAs/ALGaAs multiquantum well structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) were demonstrated. Temperature depent photoluminescence spectrum were observed with a high intensity peak at the wavelength region of visible light due to the transition of carriers between the quantized subbands. The transmittance was measured at room temperature and exhibits the absorption at the wavelength corresponds to the photoluminescence spectrum. The responsivity was also confirmed by the carries transport in quantum well structures under the electric field in parallel and perpendicular directions to the heterointerfaces.
Description: วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2540
Degree Name: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต
Degree Level: ปริญญาโท
Degree Discipline: วิศวกรรมไฟฟ้า
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/72115
ISBN: 9746384252
Type: Thesis
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Uttachai_ma_front_p.pdfหน้าปก และ บทคัดย่อ895.12 kBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_ch1_p.pdfบทที่ 1523.33 kBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_ch2_p.pdfบทที่ 2558.1 kBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_ch3_p.pdfบทที่ 31.48 MBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_ch4_p.pdfบทที่ 41.8 MBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_ch5_p.pdfบทที่ 5263.28 kBAdobe PDFView/Open
Uttachai_ma_back_p.pdfบรรณานุกรม และ ภาคผนวก663.67 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.