การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์

Abstract

จุดมุ่งหมายของการวิจัยนี้เพื่อศึกษาพื้นฐานของวิธีการสร้างผิวสัมผัสโอห์มมิกแกลเลียมอาร์เซไนด์ ผลการทดลองพบว่าผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นใช้โครงสร้าง Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด 3.36x10⁻⁶ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 475 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 นาที และผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดพีในโครงสร้าง Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด คือ 8.22x10⁻⁵ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 6 นาที ตัวอย่างที่ผ่านการแอนนีลในเงื่อนไขที่เหมาะสมจะมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันของผิวสัมผัสเป็นเชิงเส้น ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นอิทธิพลองเวลาและอุณหภูมิที่ใช้ในการแอนนีล สุดท้ายนี้ของการวิจัยได้นำผลที่ได้จากการทดลองไปประยุกต์ใช้งานในการสร้างไดโอดที่ทำจากแกลเลียมอาร์เซไนด์ เพื่อสาธิตประโยชน์ของความรู้นี้ในกระบวนการผลิตสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ