การลดของเสียในแผงวงจรรวมแบบไม่สัมผัส

Abstract

งานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษากระบวนการผลิตผลิตภัณฑ์แผงวงจรรวมแบบไม่สัมผัส ซึ่งเป็นชิพที่ใช้เก็บข้อมูลในอีพาสปอร์ต จากผลการวิเคราะห์ข้อมูลในอดีตพบว่าในกระบวนการผลิตมีของเสียประเภทวีลิมิเตอร์ ซึ่งตรวจพบที่แผนกทดสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้า เมื่อนำชิ้นงานของเสียมาวิเคราะห์และตรวจสอบพบว่า ชิ้นงานของเสียนั้นมีปัญหารอยแตกร้าวบริเวณหน้าได ซึ่งจำนวนของเสียเมื่อเทียบต่อล้านชิ้นสูงที่สุดที่ค่าเฉลี่ยเท่ากับ 1661 PPM โดยมีสาเหตุมาจากความผันแปรของเครื่องจักรในกระบวนการห่อหุ้มชิ้นงาน งานวิจัยนี้ได้ประยุกต์ใช้หลักการซิกส์ ซิกม่า ในการปรับปรุงกระบวนการโดยการดำเนินการตามหลัก DMAIC ใน ขั้นตอนการนิยามปัญหา,ขั้นตอนการวิเคราะห์ระบบวัด,ขั้นตอนการวิเคราะห์สาเหตุของปัญหา,ขั้นตอนการปรับปรุงกระบวนการ,จนกระทั่งถึง ขั้นตอนควบคุมกระบวนการ.ซึ่งการดำเนินการวิจัยพบว่าสาเหตุของความผันแปรของเครื่องจักรในกระบวนการห่อหุ้มชิ้นงานนั้นเกิดจาก แปรงที่ใช้ทำความสะอาดหน้าแม่พิมพ์เกิดการชำรุดส่งผลให้หน้าแม่พิมพ์ มีความสะอาดไม่เพียงพอมีเศษผงของคอมปาวด์พลาสติก และคราบคอมปาวด์พลาสติกติดค้างอยู่บริเวณหน้าแม่พิมพ์ซึ่งส่งผลให้ เมื่อชิ้นงานถัดไปเข้าสู่กระบวนการห่อหุ้มชิ้นงาน เกิดแรงประทะระหว่างแม่พิมพ์กับเศษผงของคอมปาวด์พลาสติกและกระแทกเข้ากับชิ้นงานบริเวณหน้าไดแรงประทะส่งผลให้เกิดรอยแตกร้าวบริเวณหน้าได ทำให้ชิ้นงานไม่ผ่านการทดสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้าประเภทวีลิมิเตอร์ ทางผู้วิจัยจึงได้แก้ไขปัญหานี้โดยการเปลี่ยน แปรงทำความสะอาดหน้าแม่พิมพ์และกำหนดให้มีการทำความสะอาดหน้าแม่พิมพ์ทุกครั้งก่อนเริ่มงานล๊อตใหม่ และมีการตรวจเช็คสภาพแปรงทำความสะอาดหน้าแม่พิมพ์ทุกหนึ่งเดือน ตลอดจนกำหนดอายุการใช้งานที่สามเดือน เปลี่ยนเมื่อหมดอายุการใช้งาน การติดตามผลการปรับปรุงพบว่าจำนวนของเสียเมื่อเทียบต่อล้านประเภทรอยแตกร้าวบริเวณหน้าไดลดลงจาก 1661 PPM เหลือเพียง 902 PPM