1. CUIR at Chulalongkorn University
  2. Faculty and Institute
  3. Graduate School - Grad
  4. Grad - Theses
Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/12119
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorศิริจันทร์ ทองประเสริฐ-
dc.contributor.advisorทอมป์สัน, จอยซ์-
dc.contributor.authorกันตินันท์ ทรัพย์เสริมผล-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย-
dc.date.accessioned2010-03-05T08:45:13Z-
dc.date.available2010-03-05T08:45:13Z-
dc.date.issued2541-
dc.identifier.isbn9746399489-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/12119-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2541en
dc.description.abstractงานวิจัยนี้เป็นการศึกษาปรากฏการณ์อิเล็กโทรไมเกรชันบนฟิล์มบางของหัวอ่านเขียนแบบแมกนีโทรีซิสทีฟสำหรับฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟ และสร้างโมเดลสำหรับทำนายอายุการใช้งานและเวลาการประลัย วิธีการทดสอบและการยืนยันความถูกต้อง ผลิตภัณฑ์ที่ใช้ในการทดลอง คือ หัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ A และแบบ B กราฟของการทำนายอายุการใช้งานได้จากการใช้แนวทางของโมเดลอาร์ฮีเนียส ซึ่งได้จากการใช้วิธีการวิเคราะห์ความถดถอยบนข้อมูลที่ได้จากการทดสอบ ผลการทดสอบได้โมเดลอายุการใช้งานโดยมีค่า activation energy เท่ากับ 0.66851 eV สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ A และ 0.76174 eV สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ B โมเดลนี้นำไปคำนวณค่าความต้านทานสูงสุดของแมกนีโทรีซิสทีฟ และค่าความสูงต่ำสุดของสไตรป์ของหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟสำหรับอายุการใช้งาน 5 ปี ที่ 12.5, 17, 25, 50 และ 100% duty cycle หัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟที่ผ่านการทดสอบอิเล็กโทรไมเกรชันและเกิดการประลัย ได้ถูกนำมาวิเคราะห์หาสาเหตุการประลัยด้วยเทคนิคการวิเคราะห์การประลัยหลายวิธี เช่น Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Energy Dispersive Spectrometer (EDS), Focused Ion Beam (FIB) และ Scanning Probe Microscope (SPM) ผลการวิเคราะห์พบว่ามีการเกิดออกซิเดชันบนวัสดุเพอร์มัลลอย (Ni0.82 และ Fe0.18) ของแมกนีโทรีซิสทีฟ และบริเวณชิลด์ทั้งสองที่อยู่รอบบริเวณแมกนีโทรีซิสทีฟ และมีการตรวจพบโพรง (void) ที่เกิดขึ้นภายในแมกนีโทรีซิสทีฟ เนื่องจากอิเล็กโทรไมเกรชัน โดยการใช้เทคนิค FIB และ FESEMen
dc.description.abstractalternativeThis investigation studied the electromigration phenomenon in thin film magnetoresistive (MR) recording heads for hard disk drives. Models for predicting the lifetime and time to failure were generated, experimentally tested, and verified. Two products, referred to as Type A and Type B, were used in the analysis. The lifetime prediction curves follow an Arrhenius model derived from applying linear regression to the experimental data. The Time to Failure (TTF) models yielded an activation energy of 0.66851 eV for Type A and 0.76174 eV for Type B. The models were then used to calculate the maximum allowable resistance and minimum stripe height of the MR heads to obtain a 5 year lifetime at 12.5, 17, 25, 50 and 100% duty cycles. Heads stressed to failure were characterized by a variety of failure analysis techniques such as Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Energy Dispersive Spectrometer (EDS), Focused Ion Beam (FIB) and Scanning Probe Microscope (SPM). Oxidation occurred on the Permalloy material (Ni0.82 and Fe0.18) of the magnetoresistive element and the shields on either side the magnetoresistive element. The voids also were observed within the magnetoresistive element by using the FIB and FESEM techniques.en
dc.format.extent887429 bytes-
dc.format.extent842451 bytes-
dc.format.extent1132711 bytes-
dc.format.extent1530120 bytes-
dc.format.extent941352 bytes-
dc.format.extent1681789 bytes-
dc.format.extent1663369 bytes-
dc.format.extent726756 bytes-
dc.format.extent784845 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.subjectอิเล็กโทรไมเกรชันen
dc.subjectฟิล์มบางen
dc.subjectตัวอ่านและบันทึก -- อายุการใช้en
dc.subjectแมกนีโทรีซิวแทนส์en
dc.subjectฮาร์ดดิสก์en
dc.titleความเชื่อถือได้ของหัวอ่านเขียนแบบแมกนีโทรีซิสทีฟ ในการทดสอบแบบอิเล็กโทรไมเกรชันและการทำนายอายุการใช้งานen
dc.title.alternativeReliability of magnetoresistive heads in electro-migration test and lifetime predictionen
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineวิศวกรรมอุตสาหการes
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.email.advisorSirichan.T@Chula.ac.th-
dc.email.advisorไม่มีข้อมูล-
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kuntinunt_Su_front.pdf866.63 kBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch1.pdf822.71 kBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch2.pdf1.11 MBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch3.pdf1.49 MBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch4.pdf919.29 kBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch5.pdf1.64 MBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch6.pdf1.62 MBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_ch7.pdf709.72 kBAdobe PDFView/Open
Kuntinunt_Su_back.pdf766.45 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.