Please use this identifier to cite or link to this item:
https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/29856
Title: | การศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ในสารกึ่งตัวนำโดยเทคนิคของแวน เดอร์ เพาว์ |
Other Titles: | The study of hall effect in semiconductor by Van der Pauw technique |
Authors: | มนัส แซ่ด่าน |
Advisors: | อนันตสิน เตชะกัมพุช |
Other author: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย |
Issue Date: | 2526 |
Publisher: | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
Abstract: | การวิจัยได้ศึกษาเทคนิคการวัดค่า สภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ของฮอลล์วิธีของ แวน เดอร์ เพาว์ เพื่อเปรียบเทียบกับวิธีการวัดแบบธรรมดา ผลการทดลองปรากฏว่าการวัดค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าทั้งสองวิธีไม่แตกต่างกัน ส่วนการวัดค่าสัมประสิทธิ์ของฮอลล์ พบว่าถ้าเลือกจุดวัดที่เหมาะสมแล้ว การวัดทั้งสองวิธีจะให้ผลสอดคล้องกันเช่นเดียวกัน ในการใช้เทคนิคการวัดแบบ แวน เดอร์ เพาว์ วัดค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ของฮอลล์ของผลึกกึ่งตัวนำซิลิกอน ในช่วงอุณหภูมิประมาณ 290 K ถึง 460K โดยใช้อุปกรณ์ควบคุมอุณหภูมิที่สร้างขึ้นเองจากวัสดุที่มีทั่วไปในประเทศ ผลการทดลองพบว่า ผลึกซิลิกอนที่วัดเป็นชนิดเอ็น ช่วงอุณหภูมิ 290 K ถึง 420 K เป็นช่วงเอ็กซคลูชั่นมีความหนาแน่นของพาหะเฉลี่ย (6.04 ± 0.15) X 1019 เมตร-3 และสภาพเคลื่อนได้ µ สัมพันธ์กับอุณหภูมิ T µ α T-2.6 ซึ่งเหมือนกับการทดลองของ F.J. Merin กับ J.P. Maita และสอดคล้องกับทฤษฏีที่ว่า สภาพเคลื่อนได้ µ จะลดลงเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น เนื่องจากอันตรกิริยากับโฟนอน เครื่องมือที่สร้างขึ้นสามารถนำไปใช้ในการศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ของผลึกกึ่งตัวนำอื่นๆที่มีคุณสมบัติใกล้เคียงกัน |
Other Abstract: | The measurement of resistivity and Hall Coefficient of semiconductor were performed by Van der Pauw method and by normal method for comparison. For resistivity measurement, it was found that the results from both methods were the same. However, in the Hall Coefficient measurements, the Van der Pauw method yielded the accurate results only when the proper points of electrical contact were used, and in this case results from both methods were practically the same. The Van der Pauw technique was then used to measure the resistivity and Hall Coefficient of flat silicon crystal of arbritary shape from 290 K to 460 K. The temperature control equipment were constructed by using most material available in Thailand. The experiments indicated that silicon sample is n-type, exhausion range of the sample is about 290 K to 420 K and carrier density is about (6.04 ± 0.15) X 1019 m-3. The Hall mobility (µ) was found to varies as temperature as T -26 in agreement with the experiments performed before by F.J. Morin and J.P.Maita (5) . This set of equipment’s can be used to study the transport phenomena of other similar crystals. |
Description: | วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2526 |
Degree Name: | วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต |
Degree Level: | ปริญญาโท |
Degree Discipline: | ฟิสิกส์ |
URI: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/29856 |
ISBN: | 9745618098 |
Type: | Thesis |
Appears in Collections: | Grad - Theses |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Manus_se_front.pdf | 3.93 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Manus_se_ch1.pdf | 7.52 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Manus_se_ch2.pdf | 7.28 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Manus_se_ch3.pdf | 14 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Manus_se_ch4.pdf | 2.94 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Manus_se_back.pdf | 5.77 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.